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SVGP03100NCS说明书
10A、28VN沟道增强型场效应管
描述
SVGP03100NCSN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰
的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低
的导通电阻。
该产品可广泛应用于电源管理领域。
特点
10A，28V，RDS(on)（最大值）12m@VGS10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVGP03100NCSWLCSP-22-2.0x2.0x0.55-0.4N无卤编带
极限参数(除非特殊说明，TC25C)
参数符号参数范围单位
漏源电压VDS28V
栅源电压VGS±15V
T25°C10
C
漏极电流IDA
T100°C6.4
C
漏极脉冲电流IDM15A
耗散功率（T25C）P4.1W
CD
工作结温范围TJ-55～+150C
贮存温度范围Tstg-55～+150C
热阻特性
参数符号参数范围单位
芯片对环境的热阻RθJA32.7*C/W
注:θJA是在室温25C开放环境中，根据热阻测试标准JEDEC51-7进行测量。
杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.4
共6页第1页
SVGP03100NCS说明书
关键特性参数(除非特殊说明，TC25C)
参数符号测试条件最小值典型值最大值单位
漏源击穿电压BVV0V,V0V,I250µA
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