碳化硅结型场效应晶体管门极驱动保护电路的设计.docx

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2024-12-19 发布于上海
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碳化硅结型场效应晶体管门极驱动保护电路的设计

摘要

随着电力电子器件的发展，主流的Si基电力电子技术日趋成熟，新型的电力电子器件如功率MOS，IGBT等的发展与运用也突飞猛进。相比于Si基绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件，SiC器件在中高压领域同样具有较大优势。由于具有更低的导通电阻，SiC器件的使用有助于降低电路损耗，提高系统工作效率。尤其是在中高压领域，基于单极性结构（如JFET或者MOSFET）的SiC器件可以实现与Si基IGBT同等甚至更优的导通特性，同时器件的开关频率可以大幅度提高。因此，使用SiC功率器件可以有效减少电力电子装置中的电感器等无源