1.5CMOS（开关特性）讲义.pdf

半导体器件物理II

场效应器件物理

西安电子科技大学

XIDIDIANUNIVERSITY

第10章MOSFET基础

10.5CMOS技术（开关特性）

2018/10/231

10.5开关特性本节内容

MOS开关原理

CMOS倒相器的工作原理

开关时间和影响因素

CMOS闩锁效应

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2018/10/23XIDIANUNIVERSITY

10.5开关特性开关原理

=V

DS

增强型D

S

V=V

inGS

共源连接的MOS开关相当于一个反相器

V=VDD，NMOS导通，C通过NMOS放电，放电完成后，V≈0V

INLDSOUT

V=0，NMOS截止，MOSFET处于截止区，RR,V≈VDD;

INoffLOUT

反相器电路

NMOS工艺：增强型NMOS作为负载，VGD=0(饱和态)，输出摆幅受限

CMOS工艺：增强型PMOS作为负载，即CMOS反相器(均为增强性器件）

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10.5开关特性什么是CMOS？

CMOS（Complementary互补CMOS）

n沟MOSFET与p沟MOSFET互补

实现低功耗、全电平摆幅

数字逻辑电路的首选工艺

2018/10/23

10.5开关特性CMOS反相器符号图

衬底接固定点位

箭头在源端

表示电流的方向

CMOS反相器中的器件为增强型：

V=VDD，V=0

INout

NMOS导通：VGSN=VDDVTN

PMOS截止：V=V－VDD=0

GSPIN

V=0，V=VDD

INout

PMOS导通,V=V－VDD=－VDDV

GSPINTP

NMOS截止,VGSN=0