电力电子与变频技术（第2版）课件：PC主机开关电源电路.pptx

2025/3/7电力电子与变频技术1PC主机开关电源电路

2025/3/7电力电子与变频技术2

2025/3/7电力电子与变频技术3任务一全控型电力电子器件的应用学习目标：1．认识GTR、MOSFET和IGBT的外形结构、端子和型号。2．会测试GTR、MOSFET和IGBT，会判别器件的端子和好坏。3．通过选择器件，掌握器件的基本参数工作任务：1．认识GTR、MOSFET和IGBT的外形结构、端子和型号。2．用万用表及实验装置进行器件的测试。3．器件的选用。相关知识：1．大功率晶体管GTR

2025/3/7电力电子与变频技术4在电力电子技术中，GTR主要工作在开关状态。晶体管通常连接称共发射极电路，NPN型GTR通常工作在正偏（0）时大电流导通；反偏（0）时处于截止的开关工作状态。

2025/3/7电力电子与变频技术52)GTR的特性与主要参数与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的主要特性是耐压高、电流大、开关特性好通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成

2025/3/7电力电子与变频技术62）动态特性GTR是用基极电流来控制集电极电流的，下图给出了GTR开通和关断过程中基极、集电极电流波形关系。延迟时间td和上升时间tr，二者之和为开通时间tonts是用来除去饱和导通时储存在基区的载流子的，是关断时间的主要部分关断时需要经过储存时间ts和下降时间tf，两者之和为关断时间toff。GTR的开关时间在几微秒以内。

2025/3/7电力电子与变频技术72）GTR的参数这里主要讲述GTR的极限参数，即最高工作电压、最大工作电流、最大耗散功率和最高工作结温等。①最高工作电压GTR上所施加的电压超过规定值时，就会发生击穿。击穿电压不仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法有关。BUcbo：发射极开路时，集电极和基极间的反向击穿电压。BUceo：基极开路时，集电极和发射极之间的击穿电压。BUcer：实际电路中，GTR的发射极和基极之间常接有电阻R，这时用BUcer表示集电极和发射极之间的击穿电压。BUces：当R为0，即发射极和基极短路，用BUces表示其击穿电压。BUcex：发射结反向偏置时，集电极和发射极之间的击穿电压。其中BUcboBUcexBUcesBUcerBUceo，实际使用时，为确保安全，最高工作电压要比BUceo低得多。

2025/3/7电力电子与变频技术8②集电极最大允许电流IcMGTR流过的电流过大，会使GTR参数劣化，性能将变得不稳定，尤其是发射极的集边效应可能导致GTR损坏。因此，必须规定集电极最大允许电流值。通常规定共发射极电流放大系数下降到规定值的1/2～1/3时，所对应的电流Ic为集电极最大允许电流，以IcM表示。实际使用时还要留有较大的安全余量，一般只能用到IcM值的一半或稍多些通常规定为hFE下降到规定值的1/2~1/3时所对应的Ic实际使用时要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一点。③集电极最大耗散功率PcM集电极最大耗散功率是在最高工作温度下允许的耗散功率，用PcM表示。它是GTR容量的重要标志。晶体管功耗的大小主要由集电极工作电压和工作电流的乘积来决定，它将转化为热能使晶体管升温，晶体管会因温度过高而损坏。实际使用时，集电极允许耗散功率和散热条件与工作环境温度有关。所以在使用中应特别注意值IC不能过大，散热条件要好。

2025/3/7电力电子与变频技术9.GTR的二次击穿现象与安全工作区一次击穿集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大，出现雪崩击穿只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变二次击穿一次击穿发生时Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升，并伴随电压的陡然下降常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变

2025/3/7电力电子与变频技术10安全工作区以直流极限参数IcM、PcM、UceM构成的工作区为一次击穿工作区，如图4－8所示。以USB（二次击穿电压）与ISB（二次击穿电流）组成的PSB（二次击穿功率）如图中虚线所示，它是一个不等功率曲线。以3DD8E晶体管测试数据为例，其PcM=100W，BUceo≥200V，但由于受到击穿的限制，当Uce=100V时，PSB为60W，Uce=200V时PSB仅为28W！所以，为了防止二次击穿，要选用足够大功率的管子，实际使用的最高电压通常比管子的极限电压低很多。

2025/3/7电力电子与变频技术11电力场效应晶体管电力场效应晶体管有两种类型，即结型和绝缘栅型，但通常指绝缘栅型中的MOS型（Metal