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動態RAM的刷新1.刷新方式教學進程6.2.3動態RAM存儲單元實質上是依靠T1管柵極電容的充放電原理來保存資訊的。時間一長，電容上所保存的電荷就會洩漏，造成了資訊的丟失。在動態RAM的使用過程中，必須定時和及時地向保存“1”的那些存儲單元補充電荷，以維持資訊的存在。這一充電過程稱為再生或動態記憶體的刷新操作。刷新不是按字處理，而是每次刷新一行，即為連接在同一行上所有存儲單元的電容補充一次能量。ROM只讀記憶體教學進程6.3在製作時不寫入任何資訊，但允許用戶利用專門的設備（編程器）寫入自己的程式，寫入是一次性的。寫入後，其內容將無法改變。雙極型PROM有兩種結構:●一種是熔絲燒斷型;6.3.2可編程的只讀記憶體（PROM）熔絲式PROM，用戶編程時，靠專用寫入電路產生脈衝電流，來燒斷指定的熔絲，以達到寫入“1”的目的。對PROM來講，這個寫入的過程稱之為固化程式。這種ROM器件只能固化一次程式，數據寫入後，就不能再改變了。位線字線vcc存儲原理:(二極體破壞型PROM為例)這種PROM記憶體在出廠時，存儲體中每條字線和位線的交叉處都是兩個反向串聯的二極體的PN結，字線與位線之間不導通，此時，意味著該記憶體中所有的存儲內容均為“1”。如果用戶需要寫入程式，則要通過專門的PROM寫入電路，產生足夠大的電流把要寫入“1”的那個存儲位上的二極體擊穿，造成這個PN結短路，只剩下順向的二極體跨連字線和位線，這時，此位就意味著寫入了“1”。讀出的操作同掩模ROM。●一種是PN結擊穿型ROM只讀記憶體6.36.3.2可編程的只讀記憶體（PROM）A0A1…AN-1CSD0…DM-1RDWR2N＊M位記憶體晶片的邏輯框圖記憶體的邏輯表示記憶體的設計與控制6.4.1常用的解碼電路●連線:地址匯流排(AB)、數據匯流排(DB)和控制匯流排(CB)，主存容量2k字字長n位CPUMARMDR地址匯流排k位數據匯流排n位ReadWriteMFC1.記憶體和CPU之間的硬連接教學進程6.4●把記憶體看作一個黑盒子，記憶體地址寄存器(MAR)和記憶體數據寄存器（MDR）是記憶體和CPU之間的介面。地址解碼器的作用就是用來接受CPU送來的地址信號並對它進行解碼，選擇與此地址碼相對應的存儲單元，以便對該單元進行讀／寫操作。記憶體地址解碼有兩種方式，通常稱為單解碼與雙解碼。(1)單解碼單解碼方式又稱字結構，適用於小容量記憶體。(2)雙解碼在雙解碼結構中，將地址解碼器分成兩部分，即行解碼器(又叫X解碼器)和列解碼器(又叫Y解碼器)。X解碼器輸出行地址選擇信號，Y解碼器輸出列地址選擇信號。行列選擇線交叉處即為所選中的記憶體單元，這種方式的特點是解碼輸出線較少。6.4.12.解碼電路常用的解碼電路解碼器A5A4A3A2A1A06301存儲單元64個單元行解碼A2A1A0710列解碼A3A4A501764個單元單解碼雙解碼單解碼結構雙解碼結構雙解碼可簡化晶片設計主要採用的解碼結構74LS138引腳74LS138經常用來作為記憶體的解碼電路。G2AG2BG1CBAY7～Y0有效輸出00100011111110Y000100111111101Y100101011111011Y200101111110111Y300110011101111Y400110111011111Y500111010111111Y600111101111111Y7其他值×××11111111無效74LS138的真值表1個記憶體的晶片的容量是有限的，它在字數或字長方面與實際記憶體的要求都有很大差距，所以需要在字向和位向進行擴充才能滿足需要。基本概念：1）位擴展：容量滿足要求，需對數據位進行擴展。例：用2K*1位的晶片組成2K*8位的系統2）字擴展：數據位滿足要