存储器系统课件.pptVIP

5.2.3記憶體擴展技術位擴展——擴展每個存儲單元的位數字擴展——擴展存儲單元的個數字位擴展——二者的綜合當單片記憶體晶片的容量不能滿足系統容量要求時，用多片存儲晶片構成一個需要的記憶體空間，它們在整個記憶體中佔據不同的地址範圍，任一時刻僅有一片(或一組)被選中。1、位擴展記憶體的存儲容量等於：單元數×每單元的位數當構成記憶體的記憶體晶片的位數小於記憶體單元的位數時，就要進行位擴展將每片的地址線、控制線並聯，數據線分別引出。位擴展特點：記憶體的單元數不變，位數增加用4K×4的SRAM晶片進行擴展，構成容量為4KB的記憶體用2164晶片構成64KB記憶體。2164:64K×1，需8片構成64K×82、字擴展地址空間的擴展。晶片每個單元中的位數滿足，但存儲單元個數不滿足。擴展原則：每個晶片的地址線、數據線、控制線並聯，僅片選線分別引出，以實現每個晶片佔據不同的地址範圍。用SRAM晶片6116構成一個容量4KVB的記憶體，要求其地址範圍：78000H～78FFFH之間≥101111000000000000000～0111100001111111111101111000100000000000～0111100011111111111178000H～787FFH78800H～78FFFH例：例：用8KB的6264擴展成32KB的存儲區,需要的8KB晶片數為：32K/8K=4（片）記憶體系統5.1記憶體概述記憶體是用來保存電腦工作所必需的程式和數據，並用來存放在運行過程中的有用資訊。1.記憶體的分類記憶體：也稱主存，通過系統匯流排與CPU聯接，存放正在執行的程式和數據；特點：快，容量小，隨機存取，CPU可直接訪問，通常由半導體記憶體構成外存：需通過專門的介面電路和主機聯接，存放暫不執行的程式或不被處理的數據。特點：慢，容量大，順序存取/塊存取。需調入記憶體後CPU才能訪問，通常由磁、光記憶體構成，也可以由半導體記憶體構成半導體記憶體由能夠表示二進位數“0”和“1”的、具有記憶功能的一些半導體器件組成。如觸發器、MOS管的柵極電容等。能存放一位二進位數的器件稱為一個存儲元。若干存儲元構成一個存儲單元。半導體記憶體（Memory）RAMROMSRAMDRAM掩膜ROMRAM具有易失性，可讀，可寫，常用於存放數據、中間結果等ROM在程式執行時只能讀不能寫。常用於存放固定的程式或數據。掩膜ROM不可改寫。可編程PROM、EPROM、E2PROM及FLASH在一定條件下可改寫。記憶體：根據數據的存取方式可分為隨機讀寫記憶體(RAM)和只讀記憶體(ROM)。可編程ROM（PROM）紫外線可擦除的PROM（EPROM）電可擦除的PROM（EEPROM）快擦寫記憶體（FlashMemory）存儲容量：存儲單元個數M×每單元位數N存取時間：從啟動讀(寫)操作到操作完成的時間存取週期：兩次獨立的記憶體操作所需間隔的最小時間平均故障間隔時間MTBF（可靠性）功耗：要求功耗低2.記憶體的性能指標5.2隨機讀寫記憶體要求掌握：SRAM與DRAM的主要特點幾種常用記憶體晶片及其與系統的連接記憶體擴展技術5.2.1靜態隨機記憶體SRAM特點：用雙穩態觸發器存儲資訊週邊電路比較簡單，但集成度低，功耗大存取速度高，SRAM被廣泛地用作高速緩衝記憶體Cache不需刷新，非破壞性讀出一、基本存儲電路（1）6個MOS管組成雙穩態電路，T1截止，T2導通為0，T1導通，T2截止為1（2）T1T2工作管，T3T4負載管，T5T6T7T8控制管（T7T8共用）（3）寫入：X和Y線有效，使T5T6T7T8導通，寫控制有效，使單元數據線與外部數據線連通，靠T1T2的截止和導通記錄資訊（4）讀出：X和Y線有效，使T5T6T7T8導通，讀控制有效，使單元數據線與外部數據線連通，從T2端讀出資訊二、典型SRAM晶片SRAM6116容量：2K×8地址線：A0～A10，數據線：D0～D7輸出允許信號：OE，寫允許信號：WE片選信號：CE24個引腳，雙列直插式A0～A10D0～D7VCCGNDWEOECE2.SRA