基于doped-Si_SiO2纤维和Y-ZnO纳米棒的可穿戴电子鼻研究.pdf

摘要

MetalOxideSemiconductorMOS

传统的金属氧化物半导体（，）气体传感器在可

穿戴技术方面的应用常受到非柔性和高功耗特性的限制。为了突破这些技术瓶颈，

我们采用了柔性的掺杂硅/二氧化硅（doped-Si/SiO）纤维作为传感器的基底。这一

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独特设计巧妙地结合了SiO2包层与原位半导体生长工艺的兼容性，以及doped-Si芯

作为加热基底的功能。通过这一结构，焦耳热直接传递到SiO2包层，从而显著降低

热损失，实现功耗的大幅降低。我们在纤维表面原位生长了钇（Y）-氧化锌（ZnO）

纳米棒，然后将doped-Si/SiO2纤维集成在柔性基底上，制备出可穿戴丙酮电子鼻。

该电子鼻设计用于通过检测呼出气中的丙酮气体来辅助诊断糖尿病，展示了在可穿

戴健康监测领域的巨大潜力。

240°C25ppm

该气体传感器对丙酮气体的响应能力十分优异。在和的条件下，

166.3%0.5ppm25ppm

其响应值高达。不仅如此，气体传感器在至的浓度范围内均

表现出卓越的响应性能。值得注意的是，该气体传感器在潮湿环境下同样表现出色，

一致性、稳定性和耐久性均得到显著体现，即使在经历高达20,000次的弯曲测试后，

依然能够维持其出色的性能。此外，低功耗是该传感器的另一大亮点，其功耗仅为

39.2mW。本研究通过实验分析验证了将doped-Si/SiO纤维作为MOS气体传感器基

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底的可行性。

本文的研究内容包括：

1.基于doped-Si/SiO纤维的Y-ZnO气体传感器制备及表征。首先通过热拉法制

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备了doped-Si/SiO2纤维，并进行微观结构和红外成像表征。其次是Y-ZnO气体传感

器制备及表征。首先，在doped-Si/SiO2纤维表面制作气体检测电极。随后，利用溶

胶凝胶法制备了ZnO种子层。然后，通过水热法在包覆ZnO种子层的纤维表面生长

Y-ZnO纳米棒。紧接着，通过浸渍提拉法制备了特氟龙AF2400保护层。之后，在

doped-Si/SiO2纤维两端制备加热电极，完成气体传感器的制备。最后，对气体传感

器进行微观结构表征和晶体结构分析。

2.Y-ZnO气体传感器的气敏性能测试和电子鼻的集成。第一，通过空间电荷层

阐述MOS气体传感器的气敏原理。第二，通过COMSOL仿真软件对doped-Si/SiO2

纤维的doped-Si纤芯和SiO包层的温度场进行仿真分析，根据仿真结果计算气体传

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感器的热损失。第三，搭建了气敏测试环境。第四，介绍MOS气体传感器的主要性

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能参数。第五，气体传感器的气敏性能测试，包括最佳工作温度和最佳掺杂含量、

浓度特性、一致性、抗湿性、弯曲性能、选择性和长期稳定性。第六，将气体传感

PIOLED

器集成在基底上，制成可穿戴丙酮电子鼻，通过电路板控制屏幕，显示丙

酮气体浓度，对呼出丙酮进行实时监测。

关键词：Y-ZnO纳米棒；柔性可穿戴；低热损；丙酮电子鼻；Doped-Si/SiO2纤维

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ABSTRACT

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