红外探测器概述.ppt

光电倍增管的应用场合将微弱光信号转换成电信号的真空电子器件。光电管通常用于自动控制、光度学测量和强度调制光的检测。如用于保安与警报系统、计数与分类装置、影片音膜复制与还音、彩色胶片密度测量以及色度学测量等。光电倍增管用在光学测量仪器和光谱分析仪器中。它能在低能级光度学和光谱学方面测量波长200～1200纳米的极微弱辐射功率。闪烁计数器的出现，扩大了光电倍增管的应用范围。激光检测仪器的发展与采用光电倍增管作为有效接收器密切有关。电视电影的发射和图像传送也离不开光电倍增管。光电倍增管广泛地应用在冶金、电子、机械、化工、地质、医疗、核工业、天文和宇宙空间研究等领域。第23页，共50页，星期日，2025年，2月5日图1-26光电倍增管原理图第24页，共50页，星期日，2025年，2月5日光电管由真空管壳内的光电阴极和阳极所构成（图中a）。阳极相对阴极为正电位。光或辐射照射阴极时，阴极发射光电子。光电子在电场的作用下到达阳极，在电路中产生光电流。

光电倍增管由真空管壳内的光电阴极、阳极以及位于其间的若干个倍增极构成（图中b）。工作时在各电极之间加上规定的电压。当光或辐射照射阴极时，阴极发射光电子，光电子在电场的作用下逐级轰击次级发射倍增极，在末级倍增极形成数量为光电子的106～108倍的次级电子。众多的次级电子最后为阳极收集，在阳极电路中产生可观的输出电流。第25页，共50页，星期日，2025年，2月5日2.光电导探测器当半导体吸收入射光子后，半导体内有些电子和空穴从原来不导电的束缚状态转变到能导电的自由状态，从而使半导体的电导率增加，这种现象称为光电导效应。利用半导体的光电导效应制成的红外探测器叫做光电导探测器，是目前，它是种类最多应用最广的一类光子探测器。第26页，共50页，星期日，2025年，2月5日光电导探测器的分类光电导探测器可分为单晶型和多晶薄膜型两类。多晶薄膜型光电导探测器的种类较少，主要的有响应于1~3微米波段的FbS、响应于3~5pm波段的PbSe和PbTe(PbTe探测器，有单晶型和多晶薄膜型两种)。单晶型光电导探测器，早期以锑化铟(InSb)为主，只能探测7微米以下的红外辐射，后来发展了响应波长随材料组分变化的锑镉汞(Hg1-xCdxTe)和锑锡铅(Pb1-xSnxTe)三元化合物探测器，在77K温度下对8到14微米波段的红外辐射的探测率很高。第27页，共50页，星期日，2025年，2月5日3.光伏探测器p-n结及其附近吸收光子后产牛电子和空穴。在结区外，它们靠扩散进入结区；在结区内，则受结的静电场作用电子漂移到n区，空穴漂移到p区。n区获得附加电子，p区获得附加空穴，结区获得一附加电势差。它与p-n结原来存在的势垒方向相反，这就要降低p-n结原有的势垒高度，使得扩散电流增加，直到达到新的平衡为止。如果把半导体两端用导线连结起来，电路中就有反向电流流过，用灵敏电流计可以测量出来；如果p-n结两端开路，可用高阻毫伏计测量出光生伏特电压。这就是p-n结的光伏效应。利用光伏效应制成的红外探测器称为光伏探测器(简称PV器件)。第28页，共50页，星期日，2025年，2月5日4.光磁电探测器在样品横向加一磁场，当半导体表面吸收光子后所产生的电子和空穴随即向体内扩散，在扩散过程中由于受横向磁场的作用，电子和空穴分别向样品两端偏移，在样品两端产生电位差。这种现象叫做光磁电效应。利用光磁电效应制成的探测器称为光磁电探测器(简称PEM器件)。第29页，共50页，星期日，2025年，2月5日小结：光电子发射属于外光电效应。光电导、光生伏特和光磁电三种属于内光电效应。光子探测器能否产生光子效应，决定于光于的能量。入射光子能量大于本征半导体的禁带宽度Eg(或杂质半导体的杂质电离能Ed或Ea)就能激发出光生载流子。入射光子的最大波长(也就是探测器的长波限)与半导体的禁带宽度Eg有如下关系：第30页，共50页，星期日，2025年，2月5日1.1.3热探测器与光子探测器性能比较光子探测器主要是测出光子的吸收速率，而热探测器是测出能量的吸收速率，所以它们对辐射的响应的形式是不同的。热探测器对各种波长的辐射都有相应，而光子探测器只对它长波限的一段波长区间有响应。热探测器一般在工作时不需要冷却，而光子探测器多数需要冷却。热探测器的响应速度一般低于光子探测器，而响应时间长于光子探测器。热探测器的性能与器件的尺寸、形状、工艺细节等有很大关系，因此要求有高的工艺水平，产品性能不容易稳定，情况有点类似与薄膜型光子探测器，而单晶型的光子探测器，无论在单晶生长、器件制造工艺及物理机构等方面都比较清楚、先进、定型，产品能够规格化。第31页，共50页，星期日，2025年，