纳芯微NSI6602VD-Q1SWR-深圳恒锐丰科技.pdf

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NSI6602V-Q1

HighReliabilityIsolatedDual-Channel

GateDriver

Datasheet(EN)1.0

ProductOverviewSafetyRegulatoryApprovals

NSI6602Visafamilyofhighreliabilityisolateddual-ULrecognition:

channelgatedriverICswhichcanbeconfiguredastwoSOW6/SOW14:5700Vrmsfor1minuteperUL1577

low-sidedrivers,twohigh-sidedrivers,orahalf-bridge

driver.Eachoutputcouldsource6Aandsink8ApeakSOP16/SOP14:3000Vrmsfor1minuteperUL1577

currentwithfast33nspropagationdelayand6nsDINENIEC60747-17(VDE0884-17)

maximumdelaymatching.Itisdesignedtodrivepower

MOSFET,SiC,GaN,andIGBTtransistors.CSAcomponentnotice5A

TheNSI6602Vprovides3000VrmsisolationinSOP16orCQCcertificationperGB4943.

SOP14package,and5700VrmsisolationinSOW16orApplications

SOW14package.Systemrobustnessissupportedby

150kV/ustypicalcommon-modetransientimmunityIsolatedDC-DCandAC-to-DCpowersuppliesinserver,

(CMTI).telecom,andindustry

ThedriveroperateswithamaximumsupplyvoltageofDC-to-ACsolarinverters

25V,whiletheinput-sideacceptsfrom3Vto18VsupplyMotordrivesandEVcharging

voltage.Un

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