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2007年7月;Distill
SiO2+2C?Si+2CO↑
SiO2+SiC?Si+SiO+CO
Purification(Fractionation)
Si+3HCl?SiH2Cl2+H2
Si+3HCl?SiHCl3+H2;PhysicalProperty(Si)
1、Density：
2330kg/m3
2、Rigidity：
6.5
3、Meltingpoint:
1414°C;ChemicProperty(Si)
Lithospherecontent:25.7%，
Atomicweight:28.0855,
Electricconfiguration:[3s23p2],
Valence:4。
Atnormaltemperature，reactionwithalkali、HF、FL,noreactionwithH2SO4、HCL、HNO3etc.;ReactionEquation：;SiliconClassifying
Pot-scrap
;Re-meltmaterials;〔groovysliceandunconventionalslice);〔纯多晶，免洗多晶，铸锭多晶〕;片料预处理生产工艺流程;硅原料处理流程;Silicontreatmentflow
Precleaning
1、Mainlyremovethevisibleoilandimpuritiesonthesurface.
2、Reagentused:detergent,acetone.;1、Thetypesaredividedintofivebracket(N-type,P-type,)2、Thewaytograspthebougie:;1、Resistivitybracket
〔1〕P型电阻率分为0.1-0.2Ω,0.2-0.5Ω,0.5-1.5Ω,1.5-6Ω,6Ω,五档
〔2〕N型和混合型电阻率分为1-2Ω,2-4Ω,4-8Ω,8Ω四档
〔3〕P型电阻率0.1Ω和N型、混合型电阻率1Ω列为重掺;使用的仪器及握探针的手法;1、穿好工作服,口罩，手套，平光眼镜，防止敲伤。
2、去石英时尽量防止把原料敲碎。;1、穿好工作服，防酸手套，平光眼镜等防护用具。
2、把原料上面带有的杂质、石墨等磨去。;Immersing
;Acidcleaning;Alkalicleaning;Drying;Packing;NEEDBACKUPDATAFORBOTTOMCHARTS
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