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氧化铪基铁电薄膜极化反转与器件可靠性：微观机制与性能优化探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，对存储器件和逻辑器件的性能要求不断提高，推动着材料科学与半导体技术的持续创新。氧化铪基铁电薄膜作为一种新兴的关键材料，因其独特的物理性质和显著优势，在现代电子器件领域展现出了巨大的应用潜力，尤其是在存储领域，有望成为下一代高性能存储技术的核心材料，引发了学术界和产业界的广泛关注与深入研究。

传统的钙钛矿铁电材料在应用中存在诸多瓶颈，如与CMOS工艺兼容性差，这使得在现有的半导体制造体系中难以集成，增加了生产成本和工艺复杂度；尺寸效应显著，随着器件尺寸的不断缩小，其铁电性能