忆阻神经元模型的混沌动力学分析.pdf

摘要

摘要

基于忆阻神经元模型，深入分析其动力学有助于理解大脑的工作机制，为神经

科学领域提供重要的理论支撑，同时也为人工神经元的设计和研究提供了实用的

指导。忆阻器可以用来描述神经元在电磁辐射作用下的磁感应效应，进而构建受到

外部电磁辐射影响的神经元模型。此外，由于忆阻器具有类似于突触的特性，因此

可以将其引入到传统神经元中，以构建忆阻突触神经元模型。与传统神经元模型相

比，忆阻神经元模型表现出更丰富的动态特性，特别是能够产生复杂的类脑混沌动

力学行为，更真实地反映了生物神经系统的复杂动力学。因此，本文主要围绕忆阻

神经元的模型建立、混沌动力学的分析以及电路仿真实现等方面，针对忆阻神经元

的复杂放电行为特性进行了一些初步的研究工作。

1

（）由于忆阻器可用于描述电磁感应效应，提出了一种基于两个磁通控制忆

阻器的新型四维Hindmarsh-Rose(HR)神经元模型，以展示神经元电活动的复杂动

力学。系统没有平衡点，揭示了隐藏的动力学行为。系统的复杂动力学通过相图、

LyapunovHR

时间序列、分岔图和指数谱来证明。所提出的四维神经元模型可以

产生共存的多种隐藏放电模式，例如周期性尖峰、混沌尖峰、瞬态混沌尖峰、周期

性簇发、混沌簇发、瞬态混沌簇发、随机簇发和瞬态随机簇发。此外，还有反单调

性和初始值偏移增强的丰富动力学行为。最后进行Multisim电路仿真，结果与数

值仿真结果一致。

2相互作用从而构建

（）利用正弦忆阻器来描述神经元的膜电位与磁通的，了

一个磁感应HR神经元模型。通过多种动力学分析方法，如分岔图、Lyapunov指

数谱、时序图和相位图，深入揭示了该模型的复杂动力学行为。研究结果显示，这

HR不存在

种电磁感应神经元模型任何平衡点，但能产生无限多个位置不同但形状

相同的隐藏混沌吸引子，展现出独特的隐藏极端多稳定性特征。最后设计了模拟等

效电路，并使用Multisim进行了电路仿真验证，证明了数值仿真的准确性。

3LAM

（）提出了一种新型局部有源忆阻器（），利用标准非线性理论分析方

V-ILAM

法分析了其特性，并通过直流曲线证明了其局部有源性。利用所提模拟

生物突触，进一步构建了突触耦合的HR-FN神经元网络模型。理论分析和数值模

拟表明，它可以在局部有源的忆阻突触的影响下产生多种放电模式。此外，还发现

了复杂的混沌行为，例如不同放电模式的共存和瞬态混沌。最后实现了耦合神经网

络的等效电路，并通过Multisim仿真验证了数值仿真的正确性。

关键词：忆阻器；忆阻神经元模型；放电动力学；多稳定性

I

Abstract

Abstract

Basedonthememristiveneuronmodels,in-depthanalysisoftheirdynamicshelps

tounderstandtheworkingmechanismofthebrain,providesimportanttheoretical

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