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（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
10）申请公布号
CN111599856A
43）申请公布日2020.08.28
（21）申请号CN202010459159.5
（22）申请日2020.05.27
（71）申请人南京大学
地210046江苏省南京市栖霞区仙林大道163号
（72）发明人郭慧;陈敦军;张荣;郑有炓
（74）专利代理机构江苏斐多律师事务所
代理人张佳妮
（51）Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
（54）发明名称
双沟道增强型准垂直结构GaN基JFET及其制备方法
（57）摘要
本发明公开了一种双沟道增强型准垂直结
构GaN基JFET，在n
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
2020-08-28公开公开
权利要求说明书
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说明书
双沟道增强型准垂直结构GaN基JFET及其制备方法的说明书内容是请下载后查看
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