微电子概论（第3版）课件3-10CMOS流程.pptx

目录1．CMOS结构与阱3.10CMOS工艺流程示例2．n阱CMOS工艺步骤3．n阱CMOS工艺流程示例

1．CMOS结构与阱(a)CMOS中的阱MOSFET的沟道是在导电类型相反的衬底材料上形成的CMOS中同时包含的NMOS和PMOS，要求不同导电类型的衬底CMOS集成电路中采用了一种称为“阱（Well）”的结构，在硅衬底的局部区域生产导电类型相反的区域。

1．CMOS结构与阱(b)n阱与p阱按照阱的导电类型不同，分为n阱与p阱两种。对n阱CMOS反相器，阱中制作pMOSFET，nMOSFET制作在衬底中p阱CMOS反相器结构情况类似。

1．CMOS结构与阱(c)双阱在衬底中制作两种类型阱，nMOSFET和pMOSFET分别制作在两种阱中。通过优化每种阱中的掺杂，可以分别控制每种MOSFET的阈值电压和跨导，改进CMOS电路的性能。

2．n阱CMOS工艺步骤以光刻为中心，可以将n阱CMOS芯片工艺过程分为8步。再加上后工序加工，一共包括9步。将以n阱CMOS反相器为例，说明CMOS工艺流程。

3．n阱CMOS工艺流程示例以反相器版图、立体示意图为例，详细说明n阱CMOS工艺流程。版图立体示意图电路图

3．n阱CMOS工艺流程示例(1)n阱生成衬底材料为p-Si。采用选择性掺杂方法生成n阱阴影图形是n阱光刻采用的光刻版图形图中显示了整个版图总图，可以比较不同层次图形之间套准关系版图下方是生成n阱后剖面图

3．n阱CMOS工艺流程示例(2)场氧氧化场氧目的是在场区，即芯片表面器件有源区以外区域，形成较厚的氧化层，起到芯片中不同MOSFET之间的隔离作用。①通过光刻在有源区形成二氧化硅和氮化硅薄层②进行“场氧氧化”③去除二氧化硅和氮化硅薄层。芯片表面上场氧以外的区域即为有源区。

3．n阱CMOS工艺流程示例(3)生长栅氧化层和多晶硅栅电极①生长栅氧化层②淀积多晶硅③光刻多晶硅，保留作栅电极以及起互连作用的多晶硅

3．n阱CMOS工艺流程示例(4)p管源漏掺杂①芯片表面涂敷光刻胶。②在光刻胶层上刻蚀出进行p沟MOS晶体管源漏区掺杂的窗口。③采用离子注入工艺通过光刻胶窗口掺入p型杂质。注意：在光刻胶窗口中，多晶硅对掺杂也起“掩膜”作用，因此多晶硅下方区域未掺入p型杂质。由此生成了p沟MOS晶体管。

3．n阱CMOS工艺流程示例(5)n管源漏掺杂工艺过程与p管源漏掺杂一样，有两点不同①在光刻胶层上刻蚀窗口采用的光刻版图形与p管源漏光刻采用的光刻版图形正好“相反”，称之为“反版”。②通过光刻胶窗口注入的是n型杂质。由此生成了n沟MOS晶体管。

3．n阱CMOS工艺流程示例(5)n管源漏掺杂注意：在n阱区域pMOS旁边有一小部分表面没有光刻胶，也掺入n型杂质其作用是提高该区域表面的n型掺杂浓度，保证以后在n阱此处与金属之间具有良好的欧姆电接触。连接到电路中的高电位，使n阱与p型衬底之间的pn结处于反偏，起到隔离作用。

3．n阱CMOS工艺流程示例(6)光刻引线孔通过光刻在n沟MOS晶体管源漏区和p沟MOS晶体管源漏区刻蚀出接触窗口。注意：n阱区域pMOS旁边的n型掺杂区也刻蚀有接触窗口。

3．n阱CMOS工艺流程示例(7)光刻金属互连线①采用溅射工艺在芯片表面淀积金属层。②刻蚀出电极和互连线。

3．n阱CMOS工艺流程示例(7)光刻金属互连线立体示意图

3．n阱CMOS工艺流程示例(8)光刻钝化孔①与通常集成电路一样，为了保护管芯表面，提高使用可靠性，生成互连线后，在表面再淀积一层钝化层。②进行光刻，将管芯上压焊点（又称为键合区）上的钝化层刻蚀掉，以便键合内引线。至此，完成了管芯加工的前工序。

3．n阱CMOS工艺流程示例(9)后工序-组装和封装生成管芯后，再经过中测、划片、装架、键合、封帽、筛选、测试，挑选出合格的产品，完成集成电路的制作。上面以n阱CMOS反相器为例介绍基本的工艺流程。有时为了提高电路的特性和可靠性，可能需要增加其他附加工艺步骤。现代MOS集成电路采用不少新结构，必然需要附加工艺步骤，但是基本流程没有根本变化。