微电子概论（第3版）课件2-3-1平衡pn结B.pptx

《微电子概论（第3版）IntroductiontoMicroelectronics郝跃贾新章史江一》ThirdEdition

目录1.pn结二极管结构与特点2.3.1平衡状态下的pn结2.pn结平衡状态的建立过程5.pn结耗尽层宽度4.势垒区两侧边界处载流子浓度的关系3.耗尽层、空间电荷区、势垒区

2.pn结平衡状态的建立过程复习：多子浓度、少子浓度与掺杂浓度的关系p型Si：若Na=1016/cm3则：多子pp0≈1016/cm3，带负电荷的离化受主杂质离子密度Na-≈1016/cm3P型半导体呈现电中性对n型Si，若Nd=1016/cm3则：多子nn0≈1016/cm3，带正电荷的离化施主杂质离子密度Nd+≈1016/cm3n型半导体呈现电中性少子np0=ni2/Na=104/cm3少子pn0=ni2/Nd=104/cm3

(1)多数载流子的扩散与扩散电流如何显示载流子分布？假想试验：采用两块Si半导体材料组成pn结。采用半对数坐标可同时显示1016/cm3和104/cm3的载流子浓度分布：2.pn结平衡状态的建立过程

p区和n区之间载流子存在明显的浓度差。将导致载流子的扩散运动：p区空穴向n区扩散n区电子向p区扩散形成从p区向n区的扩散电流冶金结附近载流子分布发生变化2.pn结平衡状态的建立过程(1)多数载流子的扩散与扩散电流

p区和n区之间载流子存在明显的浓度差。将导致载流子的扩散运动：p区空穴向n区扩散n区电子向p区扩散形成从p区向n区的扩散电流冶金结附近载流子分布发生变化2.pn结平衡状态的建立过程(1)多数载流子的扩散与扩散电流

(2)空间电荷区的形成冶金结n区一侧出现未被中和的离化施主杂质离子，带正电荷。冶金结p区一侧出现未被中和的离化受主杂质离子，带负电荷。2.pn结平衡状态的建立过程

(3)自建电场的形成与漂移电流净电荷形成n区指向p区的电场，称为内建电场。在内建电场作用下载流子作漂移运动形成漂移电流漂移电流方向与扩散电流相反2.pn结平衡状态的建立过程

(4)扩散电流与漂移电流的平衡随着扩散的继续，p区与n区交界处附近载流子浓度发生变化2.pn结平衡状态的建立过程

(4)扩散电流与漂移电流的平衡随着扩散的继续，p区与n区交界处附近载流子浓度发生变化冶金结两侧电荷增多2.pn结平衡状态的建立过程

(4)扩散电流与漂移电流的平衡随着扩散的继续，p区与n区交界处附近载流子浓度发生变化冶金结两侧电荷增多电场增强2.pn结平衡状态的建立过程

(4)扩散电流与漂移电流的平衡随着扩散的继续，p区与n区交界处附近载流子浓度发生变化冶金结两侧电荷增多电场增强漂移电流随之增强2.pn结平衡状态的建立过程

(4)扩散电流与漂移电流的平衡随着扩散的继续，p区与n区交界处附近载流子浓度发生变化冶金结两侧电荷增多电场增强漂移电流随之增强2.pn结平衡状态的建立过程

(4)扩散电流与漂移电流的平衡结论：在平衡情况下，扩散与漂移作用相平衡，净电流为零，不存在载流子净流动。冶金结两侧载流子分布将不再变化。2.pn结平衡状态的建立过程