高k栅极_钙钛矿晶体管制备及其光电双重调控特性研究.pdf

摘要

基于钙钛矿材料的光电晶体管具有易于制备、吸收系数大以及能带结构易于

调控等优点，且可被栅压及光场协同调控，这一系列优点使其成为光电集成系统

中的关键器件，但目前仍存在诸多问题制约其性能的提高。本课题采用FAPbI3作

为有源层，使用HfO2高K材料替代常用的SiO2作为介电层制备高性能光电晶体

管，研究了钙钛矿自诱导钝化对器件性能的影响，为平板结构光电子器件发展提

供理论支持。

使用原子层沉积法制备了HfO介电薄膜，研究了基底预处理、沉积温度和沉

2

积循环周期等工艺参数对薄膜介电性能的影响规律。通过AFM、XRD、XPS、

TEM及介电性能测试等表征方法对薄膜的形貌、物相组成和介电性能进行了分析。

研究结果表明，使用ALD技术制备出的HfO2薄膜主要以无定形态方式存在。基

底前处理过程对薄膜的均匀性影响很大，使用Plasma处理后的基底具有良好的均

匀性和极低的表面粗糙度。温度主要影响薄膜的漏电流和介电常数，200℃下沉

积的薄膜电学性能最优。沉积循环数与薄膜厚度呈良好的线性关系，400循环沉

积的薄膜漏电流和介电常数均达到最优。

使用两步旋涂法制备