原位反应生成SiC-WSi体陶瓷的微观组织及力学性能.pdf

哈尔滨理工大学材料与化工硕士学位论文

原位反应生成SiC-WSi2增强TiC基固溶体

陶瓷的微观组织及力学性能

摘要

以TiC为代表的难熔金属碳化物具有高硬度、优异的导电性、导热性和化

学稳定性。然而，这些难熔金属碳化物很难通过传统的烧结方法致密化，这在

很大程度上限制了它们的工程应用。(Ti,W)C及(Ti,W,Ta)C固溶体是通过添加

W和Ta元素在烧结过程中扩散到TiC晶格中形成的，固溶体的形成可以明显

提高晶间结合强度，一定程度上改善烧结性能，广泛用于硬质材料领域。本文

提出在TiC基固溶体中引入非金属添加剂Si来降低固溶体陶瓷的致密化温度，

利用Si与(Ti,W)C/(Ti,W,Ta)C固溶体原位反应生成的SiC和WSi2改善材料力

学性能，采用了放电等离子烧结和反应热压烧结制备出致密的(Ti,W)C/(Ti,W,

Ta)C-SiC-WSi2复合材料；开展了烧结方法和Si添加量对TiC基固溶体陶瓷微

观组织和力学性能影响的研究，通过调控陶瓷的微观组织结构，使其力学性能

得到了显著的提升。

针对于(Ti,W)C固溶体陶瓷，添加含量为0mol%、5mol%和10mol%的Si，

在1600-2100℃下通过原位反应放电等离子烧结和热压烧结分别制备了新型(Ti,

W)C-SiC-WSi2陶瓷。研究了硅的添加量和烧结方式对复合材料致密化行为、显

微组织和力学性能的影响。烧结过程中生成WSi2和形成碳空位的反应降低了烧

结温度，1600℃放电等离子烧结制备的TW10S的致密度可达99.6%。(Ti,W)C

基陶瓷致密化机理由反应致密化向晶界滑动扩散致密化转变。原位反应生成的

WSi2和原生SiC沿晶界分布，具有一定的晶面位向关系。晶内次生碳化硅是由

(Ti,W1-y)C1-x颗粒的快速致密化和晶界扩散迁移包覆SiC形成的。这种多尺度颗

粒增强的微观结构改善了(Ti,W)C陶瓷的力学性能。放电等离子烧结制备的

TW10S陶瓷维氏硬度为23.3±1.6GPa，抗弯强度为425±24MPa，断裂韧性为

4.2±0.3MPa·m1/2。而采用热压烧结制备的TW10S陶瓷维氏硬度为23.7±0.3

GPa，抗弯强度为552±48MPa，断裂韧性为4.5±0.3MPa·m1/2。相比于放电等

离子烧结方法制备的陶瓷材料，采用热压烧结方法制备的(Ti,W)C基复相陶瓷

性能的提升主要源自更长的保温时间可以使原位反应充分进行，形成更均匀的

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增强相SiC和WSi。

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针对于(Ti,W,Ta)C固溶体陶瓷，添加含量为0mol%、5mol%和10mol%的

Si，在1600-2100℃下通过热压烧结制备了新型(Ti,W,Ta)C-SiC-WSi2陶瓷。研

究了基体中Ta的固溶和硅的添加量对复合材料致密化行为、显微组织和力学性

能的影响。研究发现，在添加5mol%和10mol%硅的(Ti,W,Ta)C基陶瓷中，除

了形成固溶体(Ti,W,Ta)C外，还形成了新相SiC和WSi，而未形成含Ta的硅

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化物，说明Ta元素只起到了固溶作用，而未发生原位反应。原位反应生成的

WSi2和原生SiC沿晶界分布。1600℃热压烧结制备的TWT10S的致密度可达

99.3%。通过对比热压烧结制备的TW10S陶瓷发现，基体中原子半径更大的Ta

的引入在固溶体中能够引起更大的晶格畸变，有效的改善固溶体材料的力学性

能。且在Si的添加量为10mol%时，(Ti,W,Ta)C-SiC-WSi2陶瓷的力学性能最

优，维氏硬度为24.0±1.6GPa，抗弯强度为605±53MPa，断裂韧性为5.1±