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●2肖特基势垒二极管的
构造原理及特性
微波混频器是任何种类微波接收机的最主要部件之一。不仅因为它是
必不可少的，更主要原因是它处于整个接收机的前端位置、其性能好坏，
对整个系统影响极大。其基本作用是把微波频率信号变换成中频信号，中
频信号的调制解调方便，滤波器相对滚降高。要求混频器失真小、损耗小、
噪声低、灵敏度高。目前，混频器中的非线性元件主要是肖特基势垒二极
管。混频器性能由管子性能和电路设计，工艺水平共同决定。本章首先介
绍混频器的核心器件—肖特基势垒二极管。
常见半导体材料的特性参数T=25℃，N=10cm-3
参数GaAsSiGeGaAs2DEG
2
电子迁移率(cm/Vs)5000130038008000
23304301800
空穴迁移率(cm/Vs)
饱和迁移速度(cm/s)1-×1070.7×1070.6×1072-3×107
带隙(eV)1.421.120.66
4.2×1053.8×1052.3×105
雪崩电场(V/cm)
500270100
理论最大温度(℃)17520075
实际最大温度(℃)0.300.451.001.400.400.60
热导率150℃时,25℃时0.300.45
(W/cm℃)
一、肖特基势垒二极管的组成及工作原理
——管子内部的半导体机理
193
1构造：以重掺杂（10/cm）的N为衬底、厚度为几十m，外延生长零
点几m厚的N型本征本导体作为工作层，在其上面再形成零点几m的二
氧化硅绝缘层，光刻并腐蚀直径为零点几或几十m的小洞，再用金属点接
触或淀积一层金属和N型半导体形成金属半导体结，在该点上镀金形成正
极，给另一面N层镀金形成负极，即可完成管芯。
将管芯封装于陶瓷管内为传统形式，集成电路中可不用管壳
高频二极管基本结构
金属1.1μm
氧化层1.2μm
N外延层0.5μm
N＋衬底层6mils
2工作原理
肖特基势垒二极管工作的关键区域是金属和N型半导体结形成的肖特
基势垒区域，是金属和N型半导体形成的肖特基势垒结区域。
漂移电流,扩散电流
肖特基势垒结的形成：在金属和N型半导体中都存在导电载流子—电子。它们的能级
（Ef）不同，逸出功也不同。当金属和N型半导体相结时，电子流从半导体一侧向金
属一侧扩散，同时也存在金属中的少数能量大的电子跳跃到半导体中，称为热电子。显
然，扩散运动占据明显优势，于是界面上金属中形成电子堆积，在半导体中出现带正电
的耗尽层。在界面上形成由半导体指向金属的内建电场，它是阻止电子向金属一侧扩散
的，而对热电子发射则没有影响。随着扩散过程的继续，内建电场增强，扩散运动削弱。
于是在某一耗尽层厚度下，扩散和热电子发射处于平衡状态。宏观上耗尽层稳定，两边
eNW2
的电子数也稳定。界面上就形成一个对半导体一侧电子的稳定高度势垒S
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