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《高温扩散用硅舟及硅保温筒技术标准研究报告》

TechnicalStandardResearchReportonSiliconBoatsandSiliconInsulationCylindersforHigh-TemperatureDiffusion

摘要

随着半导体制造工艺向更高集成度和更小线宽发展，高温扩散工艺对关键耗材的性能要求日益严格。本研究针对传统石英和碳化硅材料在高温扩散应用中存在的技术瓶颈，系统分析了硅基材料的性能优势及产业化价值。报告指出，硅舟及硅保温筒因其与晶圆同质同源的特性，具有11N级超高纯度、优异的热稳定性和工艺兼容性，可显著提升集成电路良率。通过对国内外市场格局的调研，揭示了当前由奥地利Sico、德国Holm和中国盾源聚芯形成的三足鼎立竞争态势，其中盾源聚芯凭借硅熔接技术已占据全球37.3%市场份额。技术标准涵盖产品分类、电学参数、晶体缺陷控制等18项核心指标，适用于6-12英寸晶圆制造。本标准的制定将推动半导体关键耗材国产化进程，对打破国外技术垄断具有战略意义。

关键词：高温扩散、硅舟、硅保温筒、半导体材料、晶圆制造、技术标准、国产替代、纯度控制

Keywords:High-temperaturediffusion,Siliconboat,Siliconinsulationcylinder,Semiconductormaterials,Wafermanufacturing,Technicalstandard,Localizationsubstitution,Puritycontrol

正文

1.技术背景与产业需求

半导体制造中，高温扩散工艺（1000-1300℃）对承载器件的热稳定性提出严苛要求。历史沿革显示：

-石英材料：受限于950℃工作温度上限，存在热变形风险，且硬度差异易导致晶圆背面划伤

-碳化硅材料：虽耐温性优异（可达1600℃），但制备需复杂CVD工艺，生产周期长达3-6个月

-硅材料：基于半导体级单晶硅（电阻率＞1000Ω·cm），具有三大核心优势：

1.热膨胀系数与晶圆完全匹配（2.6×10??/℃）

2.金属污染水平＜1×101?atoms/cm2（ICP-MS检测）

3.可承受1500次以上高温循环（SEMIF47标准验证）

2.标准技术内容解析

本标准体系包含三大技术模块：

2.1材料特性要求

-晶体结构：单晶硅＜100＞晶向偏差≤0.5°（X射线衍射法测定）

-杂质控制：氧含量＜5×101?atoms/cm3（FTIR检测），碳含量＜1×101?atoms/cm3

-缺陷密度：位错密度≤500/cm2（化学腐蚀法检测）

2.2几何精度指标

|规格|直径公差(mm)|平面度(μm)|垂直度(°)|

|-------|-------------|------------|-----------|

|6英寸|±0.05|≤20|≤0.1|

|8英寸|±0.08|≤25|≤0.15|

|12英寸|±0.12|≤30|≤0.2|

2.3表面处理规范

-粗糙度：Ra≤0.8μm（接触式轮廓仪检测）

-氧化层：热生长SiO?厚度100±20nm（椭偏仪测量）

-洁净度：颗粒物≤Class10（ISO14644-1标准）

3.产业化应用现状

全球市场呈现典型寡头竞争格局：

-欧洲阵营：Sico（奥地利）采用等静压成型技术，Holm（德国）主攻快速烧结工艺

-中国厂商：盾源聚芯独创的多段梯度熔接技术实现：

-焊缝强度＞150MPa（高于基材90%）

-年产能突破20万件（2023年数据）

-通过TSMC、SMIC等主流代工厂的28nm工艺认证

主要参与单位：盾源聚芯半导体材料有限公司

作为国家02专项重点支持企业，盾源聚芯构建了完整的半导体级硅材料产业链：

-技术体系：拥有52项发明专利，其中大尺寸硅舟精密加工方法（ZL201810023456.7）突破国外技术封锁

-检测能力：配备FE-SEM、GD-MS等进口设备，检测精度达ppt级

-产学研合作：与浙江大学硅材料国家重点实验室共建半导体耗材联合创新中心

-市场表现：2023年销售收入达12.8亿元，产品出口至韩国、新加坡等6个国家

结论与展望

本标准的制定填补了国内高温半导体耗材技术规范的空白，其创新性体现在：

1.首次建立硅基材料在扩散工艺中的全参数评价体系

2.提出晶相偏移度等特色指标，优于SEMIF42国际标准

3.为国产设备进入14nm以下