金属和半导体的接触课件.pptVIP

金屬和半導體的接觸;上式表示一個起始能量等於費米能級的電子，由金屬內部逸出到真空中所需要的最小值。;在半導體中，導帶底EC和價帶頂EV

一般都比E0低幾個電子伏特。;2.接觸電勢差;;平衡時,無電子的淨流動.相對於(EF)m,半導體的(EF)s下降了

;;接觸電勢差一部分降落在空間電荷區,另一

部分降落在金屬和半導體表面之間;;半導體一邊的勢壘高度;?半導體表面形成一個正的空間電荷區

?電場方向由體內指向表面(Vs0)

?半導體表面電子的能量高於體內的，能

帶向上彎曲，即形成表面勢壘;WmWs;;能帶向下彎曲,造成空穴的勢壘,

形成p型阻擋層;;形成n型和p型阻擋層的條件;3.表面態對接觸勢壘的影響;表面態分施主表面態和受主表面態，在半導體

表面禁帶中形成一定的分佈，存在一個距價帶

頂為q?0的能級;存在受主表面態時n型半導體的能帶圖;若表面態密度很大，只要EF比q?0高一點，

表面上就會積累很多負電荷，能帶上彎;高表面態密度時，勢壘高度;有表面態，即使不與金屬接觸，表面也形成勢壘，

半導體的功函數（形成電子勢壘時）;表面受主態密度很高的n型半導體與金屬接觸能帶圖;金和半接觸時,當半導體的表面態密度很高時;表面受主態密度很高的n型半導體與金屬接觸能帶圖;半導體的勢壘高度;勢壘高度;§８.2金屬半導體接觸（阻擋層）

整流理論;外加電壓對n型阻擋層的影響;外加電壓對n型阻擋層的影響;(c)V0;阻擋層具有整流作用;1.厚阻擋層的擴散理論;耗盡層中，載流子極少，雜質全電離，空間電荷完全由電離雜質的電荷形成。;{;勢壘寬度;考慮漂移和擴散，流過勢壘的電流密度;V0時，若qVkT,則;計算超越勢壘的載流子數目（電流）就是熱電子發射理論。;電子從金屬到半導體所面臨的勢壘高度不隨外加電壓變化。從金屬到半導體的電子流所形成的電流密度Jm?s是個常量，它應與熱平衡條件下，即V=0時的Js?m大小相等，方向相反。因此，;有效理查遜常數;由上式得到總電流密度為：;Ge,Si,GaAs的遷移率高，自由程大，它們的

肖特基勢壘中的電流輸運機構，主要是多子

的熱電子發射???;3.鏡象力和隧道效應的影響;若電子距金屬表面的距離為x，則它與感應正電荷之間的吸引力，相當於該電子與位於(–x)處的等量正電荷之間的吸引力，這個正電荷稱為鏡象電荷。;;把電子從x點移到無窮遠處，電場力所做的功;;電勢能在xm處出現極大值，這個極大值發生在作用於電子上的鏡象力和電場力相平衡的地方，即;勢壘頂向內移動，並且引起勢壘的降低q??。;當反向電壓較高時，勢壘的降低變得明顯，鏡象力的影響顯得重要。;不考慮鏡像力的影響時;（2）隧道效應的影響;隧道效應引起的勢壘降低為;鏡像力和隧道效應對反向特性影響顯著

;4.肖特基勢壘二極體;§８·3少數載流子的注入

和歐姆接觸;空穴電流的大小，首先決定於阻擋層中的空穴濃度。只要勢壘足夠高，靠近接觸面的空穴濃度就可以很高。;;勢壘中空穴和電子所處的情況幾乎完全相同，只是空穴的勢壘頂在阻擋層的內邊界。;上圖說明這種積累的效果顯然是阻礙空穴的流動。因此，空穴對電流貢獻的大小還決定於空穴進入半導體內擴散的效率。;2·歐姆接觸;重摻雜的P-N結可以產生顯著的隧道電流。金屬和半導體接觸時，如果半導體摻雜濃度很高，則勢壘區寬度變得很薄，電子也要通過隧道效應貫穿勢壘產生相當大的隧道流，甚至超過熱電子發射電流而成為電流的主要成分。