电子级砷化氢标准修订立项报告：目的意义、范围与主要技术内容分析.docxVIP

电子级砷化氢标准修订立项报告：目的意义、范围与主要技术内容分析

EnglishTitle:AnalysisonthePurpose,Significance,ScopeandMainTechnicalContentoftheRevisionProjectforElectronicArsineGasStandard

摘要

随着我国集成电路与泛半导体产业向高精度、微型化方向快速发展，高纯电子气体作为关键基础材料，其质量标准亟需与技术演进和市场应用相匹配。本报告围绕电子级砷化氢（Arsine,AsH?）国家标准的修订立项，系统阐述了其目的意义、适用范围及主要技术修订内容。砷化氢广泛用于半导体掺杂、外延生长等核心工艺环节，其纯度直接影响到集成电路的性能与良率。现行标准GB/T14699-2010已实施超过十年，在气体纯度指标、杂质检测方法、安全规范等方面已难以满足当前7nm及以下先进制程工艺的要求。本次修订旨在通过提升技术指标、完善检测方法和强化安全规范，为我国电子气体行业提供技术依据，推动产业实现高质量自主发展，增强国际竞争力，服务国家半导体战略安全。

关键词

电子气体；砷化氢；标准修订；高纯气体；半导体材料；杂质检测；技术规范

Keywords:ElectronicGas;Arsine;StandardRevision;High-PurityGas;SemiconductorMaterial;ImpurityDetection;TechnicalSpecification

一、引言

电子级砷化氢是一种在集成电路制造、化合物半导体外延和光电材料生长中不可或缺的高纯特种气体。随着半导体器件尺寸不断缩小、集成密度持续提高，对气体纯度、杂质控制及分析精度提出了前所未有的高要求。我国正在积极推动半导体产业自主化进程，高纯电子气体作为“卡脖子”关键材料之一，其标准体系的完善对产业链安全具有重大意义。本次对《电子级砷化氢》国家标准（GB/T14699）的修订，正是在这一背景下提出的重要标准化工作。

二、立项目的与意义

砷化氢在集成电路制造中主要用于n型掺杂和金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺中，其纯度水平直接影响器件电学性能和可靠性。作为国家鼓励发展的高技术产品，砷化氢被列入《“十四五”推动高质量发展的国家标准体系建设规划》与《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版）》，属于重点支持的“电子化工新材料”中的特种气体。

近年来，我国半导体产业技术迭代显著加速，晶圆尺寸从8英寸迈向12英寸，制程节点由14nm推进到7nm、5nm甚至更小尺寸。这一趋势对砷化氢气体的杂质含量、配气精度和分析方法提出了更为苛刻的要求。然而，现行国家标准GB/T14699-2010已发布实施12年，其技术指标和试验方法明显滞后，无法适应当前高端制造工艺的需要。

通过本次修订，预期实现以下目标：

1.提升气体产品的技术指标，满足先进集成电路制造对超高纯度气体的需求；

2.完善杂质检测体系，增加对乙烷、乙烯、锗烷等关键杂质的定量分析方法；

3.规范安全生产与运输要求，强化全生命周期管理；

4.增强我国在高纯电子气体领域的标准话语权，支持国产材料替代进口，提升自给率。

三、范围与主要技术内容

1.范围

本标准适用于以粗制砷化氢为原料经纯化处理后获得的电子级砷化氢产品，规定其技术要求、检验规则、试验方法以及标志、包装、运输、贮存等全流程要求。本标准主要面向半导体制造、气体生产与检测单位使用。

2.主要技术修订内容

本次修订是对GB/T14699-2010的全面升级，主要变更包括：

-标准名称与结构优化：更新标准名称，结构调整更契合现代标准体系；

-更新规范性引用文件：援引最新版本的国家标准和行业标准，确保技术协调性；

-新增“术语和定义”章节：明确关键概念，避免执行歧义；

-提高技术指标：调整气体纯度、杂质限值等核心指标，适应先进制程需要；

-修订采样与纯度计算方法：提升样本代表性和结果准确性；

-优化杂质检测方法：

-更新氧+氩、氮、一氧化碳、二氧化碳、甲烷、磷化氢的测定方法；

-新增乙烷、乙烯、锗烷、硅烷、硫化氢的含量测定方法；

-改进金属杂质检测方法，删除不再适用的颗粒物检测条款；

-完善检验规则：明确抽样方案、判定规则与质量一致性要求；

-强化安全信息：补充砷化氢的毒理学性质、泄漏处理、应急措施等安全附录（附录A）；

-删除陈旧附录：去除2010版中已不适用的附录A和B，新增参考文献列表，体现标准制定的科学性与透明度。

四、主要参与单位介绍

本次标准修订工作由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）主导，并联合中国电子材料行业协