半导体二极管及其电路分析备.pptVIP

1.2.2二极管的伏安特性半导体二极管二极管的伏安特性曲线可用下式表示正向特性Uth死区电压反向特性ISOuD/ViD/mA-U(BR)反向击穿U第29页，共75页，星期日，2025年，2月5日一正向特性iD=0Uth=0.5V0.1V(硅管)(锗管)U?UthiD急剧上升0?U?UthUD(on)=(0.6?0.8)V硅管0.7V(0.1?0.3)V锗管0.2VOuD/ViD/mA正向特性Uth反向特性IS-U(BR)反向击穿第30页，共75页，星期日，2025年，2月5日-U(BR)?U?0iD=IS(硅)0.1?A(锗)几十?AU-U(BR)反向电流急剧增大(反向击穿)二反向特性OuD/ViD/mA正向特性Uth反向特性IS-U(BR)反向击穿第31页，共75页，星期日，2025年，2月5日硅管的伏安特性锗管的伏安特性604020–0.02–0.0400.40.8–25–50iD/mAuD/ViD/mAuD/V0.20.4–25–5051015–0.01–0.020第32页，共75页，星期日，2025年，2月5日三反向击穿特性：电击穿热击穿反向击穿原因：齐纳击穿：(Zener)反向电场太强，将电子强行拉出共价键。(击穿电压6V)雪崩击穿：反向电场使电子加速，动能增大，撞击使自由电子数突增。—PN结未损坏，断电即恢复。—PN结烧毁。(击穿电压6V)第33页，共75页，星期日，2025年，2月5日四温度对二极管特性的影响：604020–0.0200.4–25–50iD/mAuD/V20?C90?C随着温度的升高，正向特性曲线左移，即正向压降减小；反向特性曲线下移，即反向电流增大。一般在室温附近，温度每升高1℃，其正向压降减小2-2.5mV；温度每升高10℃，反向电流大约增大1倍左右。半导体二极管第34页，共75页，星期日，2025年，2月5日1.2.3二极管的参数1.IF—最大整流电流(二极管长期连续工作时允许通过的最大正向平均电流)2.UBR—管子反向击穿时的电压半导体二极管3.URM—最高反向工作电压，实际上只按照U(BR)的一半来计算第35页，共75页，星期日，2025年，2月5日4.IR—反向电流(管子未被击穿前的反向电流，该值越小单向导电性越好)6.fM—最高工作频率(二极管工作的上限频率，超过该频率时，结电容起作用，不能很好的体现单相导电性)。5.UD(on)—导通电压：二极管在正向电压工作时，管两端会产生正向电压降，其压降值越小管越好。硅为0.7V，锗为0.2V。半导体二极管第36页，共75页，星期日，2025年，2月5日一、理想二极管特性曲线uDiD符号及等效模型：S正偏导通，uD=0；反偏截止，iD=0S1.3二极管基本应用电路及其分析方法半导体二极管第37页，共75页，星期日，2025年，2月5日二、二极管的恒压降模型uDiDUD(on)uD=UD(on)0.7V(Si)0.2V(Ge)iDuDU(BR)IFURMO半导体二极管第38页，共75页，星期日，2025年，2月5日硅二极管基本电路如图所示，试求电流I1,I2,IO,和UO例半导体二极管第39页，共75页，星期日，2025年，2月5日1、二极管符号温故知新半导体二极管2、二极管的正向恒压特性3、二极管的导通电压4、理想模型二极管的导通、截止条件5、恒压降模型二极管的导通、截止条件6、二极管基本电路的解题步骤第40页，共75页，星期日，2025年，2月5日温故知新半导体二极管6、二极管基本电路的解题步骤1)标出二极管正负极2)去掉二极管，判断V+和V-3)利用不同的模型判断二极管状态（导通或截止），在二极管不同的状态下解题第41页，共75页，星期日，2025年，2月5日二极管基本电路如图所示，VDD=10V，应用理想模型求解电路的UD和ID。例1ID=（VDD-UD）／R=（10-0）V／10KΩ=1mAUD=0V解：半导体二极管第42页，共75页