Micro-LED不良芯片激光去除机理及工艺研究.pdfVIP

摘要

Micro-LED显示面板具有高亮度、高分辨率、低能耗等优势，在巨幅大屏及

柔性显示等领域具有广阔应用前景，被认为是下一代新型显示技术主要发展方向。

然而Micro-LED生产制程复杂、制备工序繁多，制造良率无法得到有效提升，生

产成本居高不下，为此对不良芯片去除及修复成为Micro-LED显示屏整体良率

提升的必备制程。本文以不良芯片的快速精准剥离和焊盘高质量整平修复为目标，

针对芯片剥离去除过程中解焊成功率低、除晶不彻底、剥离速度慢等问题，开展

Micro-LED不良芯片的激光快速精准剥离去除技术研究。具体主要内容如下：

（1）构建飞秒激光双温烧蚀模型和传热模型，探索飞秒激光和材料超快非

线性演化机理，并分析电子与晶格温度的耦合过程，结合热弹塑性力学建立飞秒

激光的扫描应力场模型，为开展飞秒激光辐照Micro-LED芯片的烧蚀机理和去

除规律研究奠定基础。

（2）通过COMSOL®仿真分析软件，分析飞秒激光电子能量密度时空分布

与材料反射率、材料内激光强度的影响规律，揭示了不同时间对应不同扫描区域

下芯片表面和纵深的应力场分布特征，通过单脉冲激光对Micro-LED芯片烧蚀

所形成光斑直径平方来推算芯片烧蚀阈值，拟合出激光参数与烧蚀纵深的对应关

系，预测单脉冲烧蚀的凹坑形貌，并对双温烧蚀模型的准确性进行验证。

（3）搭建Micro-LED不良芯片的激光快速去除实验平台，并结合模拟分析

结果，开展不良芯片飞秒激光烧蚀实验，分析激光光斑重叠率、能量密度和不同

扫描路径下对应芯片的烧蚀特征及去除机理，对不同激光扫描路径下芯片的烧蚀

去除效率及焊盘表面的平整度进行分析。研究结果表明，飞秒激光烧蚀模型对

Micro-LED芯片激光烧蚀加工的最大误差为9.28%，进一步明确了影响去除效果

的关键因素和对应的优化区间。

（4）提出多道次逐层快速扫描的去除工艺，结合双温烧蚀模型的仿真分析

对激光扫描路径及加工工艺参数进行优化，完成了两种规格Micro-LED芯片的

烧蚀去除实验，分别在1.05s和1.32s内实现单颗芯片的快速精准剥离和焊盘表

面高质量整平修复，对大幅面Micro-LED显示面板规模化生产具有指导作用。

关键词：Micro-LED；不良芯片；飞秒激光；精准剥离

ABSTRACT

TheMicro-LEDdisplaypanelexhibitsnumerousadvantages,includinghigh

brightness,highresolution,andlowenergyconsumption.Consequently,itholds

immensepotentialforextensiveapplicationsinthedomainsoflargescreensand

flexibledisplays.Thistechnologyisperceivedastheprimarydirectionforthe

developmentofthenextgenerationofdisplaytechnology.However,theproductionof

Micro-LEDsinvolvesacomplexandmeticulouspreparationprocess,whichhampers

theeffectiveimprovementofmanufacturingyield.Asaconsequence,productioncosts

escalate.Therefore,thenecessitytoeliminateandrepairdefective