具有多种调制模式的宽输入电压Buck控制器芯片研究与设计.pdfVIP

摘要

随着以数据中心、新能源汽车为代表的新一代整机设备功率密度的提升，传统

低压总线向着更高电压等级提升。因此，二次电源控制器芯片在向着宽输入电压范

围、高功率密度和多控制模式方向发展。此外，以碳化硅（SiliconCarbide,SiC）

和氮化镓（GalliumNitride,GaN）为代表的第三代半导体相比于硅基管在击穿电压、

导通电阻、耐高温特性和栅极驱动电荷等方面表现出了较高优势，在高功率密度

DC-DC变换器中正加速替换传统硅基功率器件。

本文瞄准宽输入电压范围的DC-DC变换器需求，基于GaN功率器件，采用

多种调制模式，设计了一款具有多种调制模式的宽输入电压降压（Buck）控制器芯

片。本文所提出的Buck控制器芯片采用峰值电流模控制，辅以斜坡补偿电路和片

外可配置的II型补偿网络；为应用电压/电流范围内保持高变换效率，Buck控制器

芯片根据误差放大器的输出电压在CCM和Burst/PSM模式之间切换，实现转换效

率和输出电压纹波的折衷；采用输出可配置的高侧浮动轨供电的低压差线性稳压

器（LowDropoutLinearRegulator,LDO），为驱动电路和内部控制电路供电，解决

了GaN器件阈值电压偏差范围大的挑战；设计的分路输出GaN栅极驱动器（Split

OutputGateDrivers）实现了对GaN器件的可靠高效驱动。

本文设计的宽输入电压范围Buck控制器芯片采用了0.18μmBCD工艺。仿真

结果表明，在典型工作条件下（输入电压48V，输出电压12V，开关频率1MHz，

负载6A，Burst模式），FCCM、Burst模式下输出纹波分别为33.5mV、117mV，分

别为输出电压的0.28%和0.975%；6A至12A负载阶跃时，上下冲电压分别为

101mV/97.3mV，恢复时间分别为74μs/61μs。

在5mA~15A负载内，本文设计的芯片在15A下实现93.09%峰值转换效率；

Burst模式对效率提升最低为2.44%，典型应用下效率保持88%以上；变换器采用

设计的自适应输入LDO，在3A负载下转换效率最高提升1.99%。

关键词：宽输入电压，多种调制模式，GaN器件，高效率

ABSTRACT

Withtheimprovementofthepowerdensityofthenewgenerationofcomplete

equipmentsuchasdatacentersandnewenergyvehicles,thetraditionallow-voltagebus

isupgradedtoahighervoltage.Therefore,secondarypowercontrollerchipsare

developingtowardsawideinputvoltagerange,highpowerdensityandmultiplecontrol

modes.Inaddition,thethird-generationsemiconductorsrepresentedbySiliconCarbide

(SiC)andGalliumNitride(GaN)showbetteradvantagesinbreakdownvoltage,on-

resistance,hightemperatureresistancecomparedwithsiliconbasedtransistor.The

replacementoftraditionalsilicon-basedpowerdevicesisacceleratinginhighpower

densityDC-DCconverters.

AimingattherequirementofDC-DCconverterswithwideinputvoltagerange,this

thesisdesi