第三章表面膜层及其电接触特性.pptVIP

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镀银表面形成的腐蚀物第61页，共91页，星期日，2025年，2月5日§3.4接触表面的膜层电阻一、概述膜的导电性和机械性能是我们最关心的问题。对于吸附膜或钝化膜等很薄的膜层（一般在贵金属表面产生）来说，导电性和机械性相比较，我们更关心的是导电性，导电机理是隧道导电效应。对于绝缘膜（一般较厚，在普通金属表面形成）来说，我们更关心后者，绝缘膜对于接触导电是极其不利的，因此，膜的破坏是电接触必须研究的基础课题之一。第62页，共91页，星期日，2025年，2月5日二、薄膜导电-隧道效应隧道效应：依照经典力学理论，不论膜的厚度如何，电子是不可能穿过它而导电的。由量子力学理论可知，根据德布罗意波的性质，电子能够穿过薄膜而导电。概念：电子具有穿透位垒（薄膜）而导电的现象称为“隧道效应”。第63页，共91页，星期日，2025年，2月5日二、薄膜导电-隧道效应理论分析模型设有两个相同金属材料的接触元件，接触面为理想的光滑面，两接触面之间夹有一层绝缘薄膜（或认为是真空），膜厚为?，两接触元件之间形成的位垒。第64页，共91页，星期日，2025年，2月5日二、氧化膜的生长规律抛物线生长规律 S2=S02+k2t k2，常数Cu上形成的Cu2O膜层此式适合中等温度（T=100-900?C）的情况。当T400?C，膜层的成分为CuO。当T400?C，膜层的成分为Cu2O。初始厚度s0=20A的氧化膜在空气中约30分钟就形成，它很难测量。Cu2O的电阻率为2?104??cm。第29页，共91页，星期日，2025年，2月5日二、氧化膜的生长规律Ni上形成的NiO膜层此式适合于温度为T=200～600?C的情况NiO膜层的电阻率为1?107??cm。在抛物线生长规律下，离子缓慢扩散,?1，氧化率逐渐降低而产生连续氧化层，除Cu，Ni外，Fe，Cr，Co等金属的氧化也遵循此生长规律。第30页，共91页，星期日，2025年，2月5日二、氧化膜的生长规律对数生长规律：k2，k3为常数。氧化开始很快，然后氧化率下降，符合对数规律。Zn，Al，Sn，Ti和Ta等金属均依此规律形成氧化层很薄，并形成保护层。Al上形成的Al2O3膜层：Al2O3膜层虽然对Al有保护作用，但在电接触应用中它是非常有害的。几秒钟内就可得到初始厚度s0?20?的Al2O3膜层，然后甚至在室温时也会很快形成更厚的膜层，而使得几乎无法通过隧道效应进行导电。Zn上形成的膜层：锌的表面也覆盖着一层保护膜，在接触中它通常是绝缘的。第31页，共91页，星期日，2025年，2月5日二、氧化膜的生长规律贵金属的污染金：金在空气中不被氧化。当温度达到180?C，它受到Cl2的腐蚀而形成AuCl3，可溶解在水中。在空气中，常有单分子层的氧气吸附在金上，如同它吸附在别的金属上，但这吸附膜对隧道效应有渗透作用因而对接触是无害的。金是最常用的接触材料，其特性以后章节在详细介绍。第32页，共91页，星期日，2025年，2月5日二、氧化膜的生长规律银：室温时只有当存在臭氧时银才会被氧化成Ag2O，它在200?C时将分解，而且Ag2O很软而很容易被机械除去，它很少对电接触有危害作用。室内空气中银上形成的黑色氧化层中含有Ag2S。除银易于被硫化它是一种理想的接触材料，因此必须对硫化银多加注意。Ag2S膜层不具有保护性，但由于反应性气体的含量通常都很小，所以其生长缓慢。Ag2S比Ag软，其硬度大约是Ag的一半，因此在接触闭合时Ag2S膜很容易被除去，而通过金属触点提供了相当好的导电性，这常使人们产生一种误解，即Ag2S是一种很好的导体。事实上室温时Ag2S的电阻率在103??cm至108??cm之间，和Cu2O的电阻率为同一范围，是一个绝缘体。第33页，共91页，星期日，2025年，2月5日§3.3触点表面的电化学腐蚀一、电化学腐蚀—湿腐蚀过程电子设备中发生的金属腐蚀主要是电化学腐蚀，其中又以大气腐蚀为主要形式。电触点表面的电化学腐蚀。电化学腐蚀理论在相当大的程度上是以电极电位、原电池工作原理为基础的。第34页，共91页，星期日，2025年，2月5日二、金属的电极电位基本概念电极：在电化学中，电极是指金属溶液体系，溶液一般是电解质溶液。电极电位：在此体系中，金属与溶液界面的电位差即是电极电位。第35页，共91页，星期日，2025年，2月5日二、金属的电极电位金属和溶液间电位差的产生金属离子的水化金属铜棒放入CuSO4水溶液，形成一电极体系；Cu-CuSO4两相界面上可能发生铜的转移反应：在金属表面上