第1章 基础知识.pptVIP

阻值为Ｒ的电阻产生的功率频谱密度噪声电压功率频谱密度噪声电流功率频谱密度在频带宽度为BW内产生的热噪声均方值电流：I2n=SI(f)·BW均方值电压：U2n=SU(f)·BW其中：k是波尔兹曼常数，k=1.38×10-23J／KT是电阻温度,K绝对温度。第62页，共106页，星期日，2025年，2月5日一个实际电阻R可分别用噪声电流源和噪声电压源表示第63页，共106页，星期日，2025年，2月5日理想电抗元件是不会产生噪声的,但实际电抗元件是有损耗电阻的,这些损耗电阻会产生噪声。实际电感的损耗电阻一般不能忽略,而对实际电容的损耗电阻一般可以忽略。例1.5试计算510kΩ电阻的噪声均方值电压和均方值电流各是多少？设T＝290K,BW＝100kHZ。I2n=4kT·BW／R=4×1.38×10-23×290×105／(510×103)≈3.14×10-21Ａ2解:U2n=4kTR·BW=4×1.38×10-23×290×510×103×105≈8.16×10-10Ｖ2第64页，共106页，星期日，2025年，2月5日1.3.2晶体管噪声晶体管主要噪声包括热噪声、散弹噪声、分配噪声、闪烁噪声１、热噪声构成晶体管的发射区、基区、集电区的体电阻和引线电阻均会产生热噪声,其中以基区体电阻rbb′的影响为主。第65页，共106页，星期日，2025年，2月5日其中I0是通过PN结的平均电流值,q是每个载流子所载的电荷量。q＝159×10-19库仑。注意：在I0＝０时,散弹噪声为零,但是只要不是绝对零度,热噪声总是存在。这是二者的区别。２、散弹噪声：是晶体管的主要噪声源。它是由单位时间内通过ＰＮ结的载流子数目随机起伏而造成的。人们将这种现象比拟为靶场上大量射击时弹着点对靶中心的偏离,故称为散弹噪声。本质上它与电阻热噪声类似,属于均匀频谱白噪声,其电流功率频谱密度为:SI(f)＝2qI0第66页，共106页，星期日，2025年，2月5日３、分配噪声定义：晶体管中集电极电流与基极电流分配比例的随机性，而造成集电极电流在静态值上下起伏变化,所产生的噪声。解释：晶体管中通过发射结的非平衡载流子大部分到达集电结,形成集电极电流,而小部分在基区内复合,形成基极电流。两个电流分配比例是随机的。特点：它实际上也是一种散弹噪声,但它的功率频谱密度是随频率变化的,频率越高,噪声越大。其功率频谱密度近似计算公式：SI(f)＝2qI0第67页，共106页，星期日，2025年，2月5日４、闪烁噪声产生这种噪声的机理目前还不甚明了,一般认为是由于晶体管表面清洁处理不好或有缺陷造成的,特点：频谱集中在约１kＨｚ以下的低频范围,且功率频谱密度随频率降低而增大。在高频工作时,可以忽略闪烁噪声。第68页，共106页，星期日，2025年，2月5日1.3.3场效应管噪声场效应管是依靠多子在沟道中的漂移运动而工作的,沟道中多子的不规则热运动会在场效应管的漏极电流中产生类似电阻的热噪声,称为沟道热噪声。场效应管的主要噪声源：沟道热噪声、其次是栅极漏电流产生的散弹噪声。闪烁噪声在高频时同样可以忽略。沟道热噪声和栅极漏电流散弹噪声的电流功率频谱密度分别是：SI(f)=4kT；SI(f)=2qIg其中：ｇm是场效应管跨导,Ig是栅极漏电流。第69页，共106页，星期日，2025年，2月5日1.3.4额定功率和额定功率增益额定功率和额定功率增益是分析和计算噪声问题的基本概念。信号额定功率：指电压信号源可能输出的最大功率。当负载阻抗RL与信号源阻抗Rs匹配时,信号源输出功率最大。所以,其额定功率定义为：则：额定功率是表征信号源的一个参量,与其实际负载值无关。第70页，共106页，星期日，2025年，2月5日