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探秘GaN与ZnO：自组织生长行为剖析及多元器件应用

一、引言

1.1研究背景

在半导体材料的发展历程中，第一代半导体材料如硅（Si）和锗（Ge），凭借其成熟的制备工艺和良好的电学性能，奠定了现代电子工业的基础，广泛应用于集成电路、晶体管等领域。第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）为代表，在高频、高速和光电子领域展现出独特优势，推动了通信和光电器件的发展。然而，随着科技的飞速进步，对半导体材料性能的要求日益严苛，传统的第一、二代半导体材料逐渐难以满足新兴应用的需求。

以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）等为代表的第三代半导体材料应运而生，它们具备宽禁带宽