封装缺陷之分析技术的选择芯片封装与测试54课件.pptxVIP

封装缺陷之

分析技术的选择《芯片封装与测试》主讲人：董海青

封装缺陷之分析技术的选择失效分析必须选择合适的分析技术，否则可能会导致错误的分析结论。分析的顺序必须是先进行非破坏分析，再进行破坏性分析。同时还要考虑所分析封装的状态和失效分析所用的设备等。

失效分析首先要考虑其工艺和应用的历史，有助于选择合适的分析技术；其次要了解封装的组成材料，金属材料可能会导致电迁移，聚合物材料可能导致水汽吸收等；还要考虑封装的尺寸等。封装缺陷之分析技术的选择

每一种分析技术都有其分辨率和穿透率的限制。X射线显微技术具有较好的穿透深度，横向分辨率的极限是1μm。而扫描电子显微技术可以超过1μm，透射电子显微技术具有最好的分辨率。封装缺陷之分析技术的选择

样品制备和破坏性需求也是要考虑的。电子显微镜的使用一般都需要破坏性的样品制备，例如剖面、剥层和开封等。透射电子显微镜需要制作剖面，扫描电子显微镜需要涂覆导电层。封装缺陷之分析技术的选择

外部的封装失效模式不需要开封，而内部的失效模式需要开封进行检查。为了确定一种特定的缺陷或失效模式，通常需要用到两种或更多的分析技术。封装缺陷之分析技术的选择

小结选择的依据工艺影响、应用影响混合使用