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封装缺陷之开裂《芯片封装与测试》主讲人：董海青
封装缺陷之开裂目前主流的芯片是由硅片制作，单晶硅具有金刚石结构，晶体硬而脆。硅片在收到外力或表面具有缺陷的情况下易于开裂。因此芯片开裂成为集成电路封装失效的重要原因之一。
封装缺陷之开裂硅芯片裂纹可形成于晶圆减薄、圆片切割、芯片粘贴、引线键合等需要应力作用的过程中。如果裂纹没有扩展到引线区域则不易被发现，但在工艺过程中一般无法直接观察到芯片裂纹。
封装缺陷之开裂在实际测试过程中，含有微裂纹芯片的电特性与无裂纹芯片的电特性基本相同，一开始可能没有影响，但在后续使用过程中微裂纹会影响芯片的性能和使用寿命。
封装缺陷之开裂由于集成电路的电性能测试无法测试出芯片开裂的情况，因此需要通过高低温热循环实验来进行芯片开裂的检测，以免对芯片的可靠性造成影响。在高低温循环实验中，各种材料的热膨胀系数不同，从而会在加热与降温的过程中产生热应变。
封装缺陷之开裂由于芯片的开裂是由外部的应力作用引起的，因此在检测出芯片开裂后，需要对芯片的封装工艺进行调整，尽量降低工艺对芯片的应力作用。可以改善切割工艺，可以优化键合时的温度与压力等。
小结开裂现象开裂的原因改进措施
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