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CuBiS光阴极的界面调控与
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光电催化性能研究
摘要
为了缓解日益严重的环境污染问题，发展新能源已成为当务之急。然而，太阳能作
为一种可以无限使用，且规模足够大的可再生能源，可以用作于替代化石燃料，以此来
满足人们日益增长的能源需求。为了实现太阳能制氢，需要开发了一种具有高光电流密
度和起效电位的低成本光电阴极，而在铜基硫族化合物中，CuBiS是一个具有低熔点
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的稳定相，其颗粒在低温下具有生长的可行性，同时还拥有显著的光电特性，在可见光
区域有较强的光吸收系数及光催化性能较高等优点，是用于制作光电阴极的热门材料。
但是纯CuBiS光电阴极的光生电子空穴对复合率高、载流子迁移效率低。为了解决这
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些问题，本文通过合成纯相的CuBiS纳米棒，建造空穴传输层CuBiS/NiO和进行表
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面修饰InSO/CuBiS/NiO，以此来提高光生载流子传播速率，促进界面电荷转移效率，
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从而提高起始电位电流，提高光响应。主要的研究内容如下：
采用液相沉积和退火工艺合成了CuBiS纳米棒，并研究了其形貌和成分，证明了
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其为纯相的CuBiS纳米棒。通过对前驱体Cu/Bi比值的调控，系统的研究了其对CuBiS
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结构和光电催化性能的影响。经过多次实验，过多的铜源会导致CuBiS杂质的生成，
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而在Cu/Bi摩尔比值为3时，制备出纯相CuBiS纳米棒，且纯相的CuBiS在光吸收
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Cu/Bi3CuBiS
系数和光催化效率方面表现出色。此外，在比值为的基础上，对33的退
火温度进行调控，研究了退火温度对其形貌、成分和光电催化性能的影响，经研究发现，
温度的升高对CuBiS光阴极的光电催化性能有显著影响，表现出先增大后减小的性质，
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并且在300℃时，具有最佳的光响应为4.06mA/cm（0V）。
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进一步采用了电沉积成功制备出CuBiS/NiO光阴极，通过电沉积时间控制NiO纳
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米颗粒的负载量，研究其形貌、成分和光电催化性能。研究发现，当电沉积时间越长，
NiO纳米颗粒的负载量越大时，光阴极的光电催化性能呈现先增大后减小的趋势，机理
分析表明，NiO纳米薄膜空穴传输层的构造能够影响光吸收强度，并且显著降低了光生
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电子空穴对的复合率，降低了暗电流。然后，进一步用两步脉冲电压法在CuBiS薄膜
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表面电化学沉积InSO钝化层，合成InSO/CuBiS/NiO光电阴极，通
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