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BaTiO3基铁电超晶格电学性能研究

摘要

铁电材料因其具备自发极化的特点在存储器和铁电场效应晶体管等方面具有广泛

的应用价值而备受关注。随着人们对器件微型化和集成化的需求，学者对铁电材料的

研究重心由体材转向薄膜。对铁电薄膜而言，其性能与结晶质量及微观组织结构密切

相关。在过去几十年内，人们利用各种方法来提高薄膜质量，包括外延生长、掺杂改

性、应变效应等。现如今，人们已经能够在原子级别的范围内对材料的生成进行精准

控制，但是随着薄膜厚度的降低，大多数铁电材料的铁电与漏电等性能也明显降低，

这就限制了其在大规模集成器件中的应用。铁电超晶格由于具有对称性破缺、应变效

应、静电耦合效应和电荷转移效应等特性在超薄的条件下可表现出优异的铁电与介电

性能。特别是其界面的晶格和电荷等自由度存在相互耦合作用。因此，铁电超晶格的

相关研究不仅是提升铁电器件性能的一种途径，还为研究新的物理现象以及相关的物

理机制提供了可能。本文主要研究内容与结论如下：

1、使用脉冲激光沉积（PLD）和磁控溅射方法在SrTiO3（STO）衬底上制备纯

BaTiO3（BTO）薄膜、纯BiFeO3（BFO）薄膜和3周期、6周期、9周期

BaTiO/BiFeO超晶格，研究了超晶格的铁电与漏电性能。研究发现，在薄膜总厚度一

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定的条件下，周期厚度越薄，超晶格的铁电性越好，9周期BaTiO/BiFeO超晶格剩余

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极化（2Pr）的达到73C/cm。对于9周期BTO/BFO超晶格，与纯BTO和BFO薄膜

相比，漏电流密度降低了3~5个数量级。电输运机制研究表明，9周期BTO/BFO超晶

格的漏电流机制在低压区域为欧姆行为，而在高压区域为空间电荷限制电流机制。漏

电流减小的原因归结于制备超晶格薄膜过程中不可或缺地会产生缺陷，而缺陷主要集

中在界面附近。随着超晶格中周期数的增多，界面也越来越多。由于界面中的束缚电

荷和缺陷等会对载流子形成散射，因此降低了漏电流。

2、使用脉冲激光沉积和磁控溅射方法在Nb:SrTiO3（NSTO）衬底上制备3周期

BTO/STO超晶格（每周期BTO厚度为2nm，STO厚度为1nm），研究了铁电超晶格

的隧穿电阻（TER）效应与忆阻行为。研究结果表明，随着极化电压的增大，电流开

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关比逐渐增大，在+4V/-5V的极化电压下电流开关比达到6×10。电输运机制研究表

明，当器件处于低阻态（ON态）时，空间电荷限制电流为占主导地位的输运机制；处

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于高阻态（OFF态）时，肖特基发射占据主导地位。BTO/STO超晶格的电阻还可以随

极化电压的脉冲宽度、大小和数量的变化而进行调制，表现出良好的忆阻行为。此外，

BTO/STO超晶格具有良好的保持与疲劳性能。

【关键词】：铁电超晶格；电输运机制；隧穿电阻效应；忆阻行为

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