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10.6晶体管10.6.1晶体管的基本结构10.6.2电流分配和电流放大作用10.6.3特性曲线10.6.4主要参数第30页，共46页，星期日，2025年，2月5日10.6.1晶体管的基本结构晶体管（三极管）是最重要的一种半导体器件。部分三极管的外型第31页，共46页，星期日，2025年，2月5日一、结构NNP发射极E基极B集电极C发射结集电结—基区—发射区—集电区emitterbasecollectorNPN型ECB三层半导体材料构成NPN型、PNP型PPNEBCECBPNP型第32页，共46页，星期日，2025年，2月5日各区主要作用及结构特点：发射区：作用：发射载流子特点：掺杂浓度高基区：作用：传输载流子特点：薄、掺杂浓度低集电区：作用：接收载流子特点：面积大按材料分：硅管、锗管按结构分：NPN、PNP按使用频率分：低频管、高频管按功率分：小功率管500mW中功率管0.5?1W大功率管1W二、分类第33页，共46页，星期日，2025年，2月5日电子电路中常用的元件第1页，共46页，星期日，2025年，2月5日10.1半导体的基本知识10.1.1半导体的导电特征10.1.2N型半导体和P型半导体第2页，共46页，星期日，2025年，2月5日10.1.1半导体的导电特征半导体—导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。本征半导体—纯净的半导体。如硅、锗单晶体。载流子—自由运动的带电粒子。+4+4+4+4硅(锗)的原子结构Si284Ge28184简化模型+4原子核硅(锗)的共价键结构价电子自由电子(束缚电子)空穴空穴空穴可在共价键内移动第3页，共46页，星期日，2025年，2月5日本征激发：复合：自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。漂移：自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。第4页，共46页，星期日，2025年，2月5日两种载流子电子(自由电子)空穴两种载流子的运动自由电子(在共价键以外)的运动空穴(在共价键以内)的运动半导体的导电特征IIPINI=IP+IN+–电子和空穴两种载流子参与导电在外电场的作用下，自由电子逆着电场方向定向运动形成电子电流IN。空穴顺着电场方向移动，形成空穴电流IP。第5页，共46页，星期日，2025年，2月5日结论:1.本征半导体中电子空穴成对出现,且数量少；2.半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电；3.本征半导体导电能力弱，并与温度、光照等外界条件有关。10.1.2N型半导体和P型半导体本征半导体中由于载流子数量极少，导电能力很弱。如果有控制、有选择地掺入微量的有用杂质（某种元素），将使其导电能力大大增强，成为具有特定导电性能的杂质半导体。第6页，共46页，星期日，2025年，2月5日一、N型半导体在硅或锗的晶体中掺入五价元素磷。N型磷原子自由电子电子为多数载流子空穴为少数载流子载流子数?电子数+5+4+4+4+4+4正的磷离子多数载流子少数载流子N型半导体的简化图示第7页，共46页，星期日，2025年，2月5日P型硼原子空穴空穴—多子电子—少子载流子数?空穴数二、P型半导体在硅或锗的晶体中掺入三价元素硼。+4+4+4+4+4+3P型半导体的简化图示多数载流子少数载流子负的硼离子第8页，共46页，星期日，2025年，2月5日10.2PN结10.2.1PN结的形成10.2.2PN结的单向导电性第9页，共46页，星期日，2025年，2月5日10.2.1PN结的形成一、载流子的浓度差引起多子的扩散二、复合使交界面形成空间电荷区(耗尽层)空间电荷区特点:无载流子、阻止扩散进行、利于少子的漂移。三、扩散和漂移达到动态平衡扩散电流等于漂移电流内电场扩散运动：漂移运动：由浓度差引起的载流子运动。载流子在电场力作用下引起的运动。PN