新型二维材料光电子性质的计算研究.pdfVIP

摘要

摘要

随着纳米技术、量子科学等前沿领域的发展，光电材料的研究也逐渐向这些领

域拓展。传统光电材料在光吸收效率上已经接近理论极限，难以满足高速发展的信

息社会需求。因此，需要寻找和开发新型的光电材料，以突破现有的性能瓶颈。本

文采用密度泛函理论框架下第一性原理方法进行计算，以二维材料六方磷化硼（h-

BP）、六方砷化硼（h-BAs）为研究对象。通过对h-BP和h-BAs掺杂不同的元素

（Al、Ga、N、P、As），探究杂质的引入对体系性质的影响。并在此基础上，对掺

杂体系施加不同程度的拉伸应变改变其晶格结构，以此调控体系的电子结构和光学

性质。除此之外，本文对氧化镁（MgO）体材料和MgO（001）表面进行研究，分

别引入空位缺陷，掺杂非金属元素C、N和金属元素Co、Ni，调控其电子结构和磁

学性质。以期找到性能更加优异的二维材料。本文的研究表明：

1）对于h-BP体系，PAs（As取代P）会使得体系的带隙减小，而PAl、PGa、PN

均使得的体系的带隙增大。对同一体系施加不同程度应力后，带隙宽度在应力作用

下呈现出增大的趋势。对于h-BAs体系，Bx（x=Al、Ga）会导致体系的带隙增大，

Asx（x=N、P）则会导致体系带隙的减小。应变程度的增大导致五种体系的带隙均

呈现先增加后降低的趋势。AsN体系在施加应力大小为8%的情况下带隙减小，其余

四种体系均在施加应力大小为10%的情况下带隙宽度降低。

2）h-BP介电常数是5.21，x-BP（x=Al、Ga、N、As）体系介电常数分别为

4.87、4.89、4.99、5.25。随着应变增大，介电常数逐渐减小。对于h-BAs体系，x-BAs

（x=Al、Ga、N、P）体系的介电常数均小于未掺杂体系的介电常数。应变的不断

增大使得Al-BAs和Ga-BAs体系的介电常数不断增大，施加10%应力时为5.48和

5.53。N-BAs和P-BAs体系的介电常数随着应力增大呈现先减小后增大的趋势。

3）对于h-BP和h-BAs体系，在平行向（E）极化下，X（X=P、As）体系的

xN

吸收峰峰位存在明显的红移。在垂直向（E）极化下，其吸收峰的趋势仍维持与E

yx

极化下同样的趋势。Al和Ga掺杂体系的峰位相较未掺杂体系未发生明显变化，吸

收峰的峰值有所降低。两种体系的反射系数、折射系数、损失函数均出现峰值强度

降低的情况。应变程度的增加，使得两种体系的介电函数、反射系数、折射系数、

吸收系数和损失函数均出现红移现象，向低能区方向靠近。并可以捕获更宽波长范

围内的光子，拓宽h-BP和h-BAs材料的光谱响应范围。

4）MgO体材料中的V不能使体系产生自旋极化，V会产生1.31μ的局域磁

OMgB

矩；不同距离V之间呈现铁磁性耦合；孤立的Co、Ni可分别产生S=3/2、1/2的

Mg

高自旋态，但不同距离Co-Co、Ni-Ni之间以反铁磁性耦合为主。MgO（001）表面

Ⅰ

河北科技大学硕士学位论文

研究结果表明，单个C、N原子2p轨道的自旋极化分别产生0.96μB、0.59μB的局域

磁性态；不同距离C-C、N-N之间均以铁磁性耦合为主；单个Co原子会产生1.00μB

的磁矩，C