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第1页，共32页，星期日，2025年，2月5日7-1.半导体的导电特性7-2.半导体二极管7-3.稳压管7-4.半导体三极管第2页，共32页，星期日，2025年，2月5日导体、半导体和绝缘体导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。§7-1.半导体的导电特性第3页，共32页，星期日，2025年，2月5日完全纯净、具有晶体结构的半导体一、本征半导体最常用的半导体为硅(Si)和锗(Ge)。它们的共同特征是四价元素，每个原子最外层电子数为4。++SiGe第4页，共32页，星期日，2025年，2月5日掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。掺入五价元素SiSiSiSip+多余电子磷原子在常温下即可变为自由电子失去一个电子变为正离子在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。二.N型半导体和P型半导体第5页，共32页，星期日，2025年，2月5日三、PN结的形成PN空间电荷区P区N区多数载流子将扩散形成耗尽层；耗尽了载流子的交界处留下不可移动的离子形成空间电荷区；（内电场）一块晶片的两边分别为P型半导体和N型半导体。内电场阻碍了多子的继续扩散。第6页，共32页，星期日，2025年，2月5日多子的扩散运动内电场少子的漂移运动浓度差P型半导体N型半导体内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。扩散的结果使空间电荷区变宽。空间电荷区也称PN结扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－形成空间电荷区一、PN结的形成第7页，共32页，星期日，2025年，2月5日1.PN结加正向电压（正向偏置）PN结变窄P接正、N接负外电场IF内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。PN结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。内电场PN－－－－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++++++–第8页，共32页，星期日，2025年，2月5日2.PN结加反向电压（反向偏置）外电场P接负、N接正内电场PN+++－－－－－－+++++++++－－－－－－－－－++++++－－－–+第9页，共32页，星期日，2025年，2月5日1.点接触型2.面接触型结面积小、结电容小、正向电流小。用于检波和变频等高频电路。结面积大、正向电流大、结电容大，用于工频大电流整流电路。3.平面型用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。§7-2.半导体二极管一、二极管的结构和分类二极管的电路符号：PN第10页，共32页，星期日，2025年，2月5日阴极引线阳极引线二氧化硅保护层P型硅N型硅平面型金属触丝阳极引线N型锗片阴极引线外壳点接触型铝合金小球N型硅阳极引线PN结金锑合金底座阴极引线面接触型半导体二极管的结构和符号二极管的结构示意图阴极阳极符号D第11页，共32页，星期日，2025年，2月5日二、二极管的伏安特性硅管0.5V,锗管0.1V。反向击穿电压U(BR)导通压降外加电压大于死区电压二极管才能导通。外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。正向特性反向特性特点：非线性硅0.6~0.8V锗0.2~0.3VUI死区电压PN+–PN–+反向电流在一定电压范围内保持常数。第12页，共32页，星期日，2025年，2月5日二极管的单向导电性1.二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负）时，二极管处于正向