原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
红外探测材料型号命名方法
1范围
本文件规定了红外探测器用化合物半导体材料和热释电材料的型号命名方法。
本文件适用市红外探测用化合物半导体材料包括锑铟锅(单晶)、锑化镓、碲锌镉等单晶材料，锑化
铟（薄膜）、碲镉汞、铟镓砷、二类超晶格、量子阱等薄膜材料以及热释电材料包括硫酸三甘肽、钽酸
锂、铌酸锶铅、钛酸锂等单晶材料，锆钛酸铅、钛酸铅等金属氧化物陶瓷材料，聚氟乙烯，聚偏氟乙烯
等高分子聚合物材料。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，
仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本
文件。
GB/T14264-2024半导体材料术语中界定的术语和定义
3术语和定义
GB/T14264-2024半导体材料术语中界定的术语和定义适用于本文件。
4型号命名方法
4.1红外探测器用化合物半导体材料型号命名方法
4.1.1型号结构
型号结构如下图所示，分别由材料尺寸、材料名称、第一～第四特征值这几个部分组成。
4.1.2材料尺寸
1
型号中的第一项材料尺寸表示材料的尺寸，对于圆形材料，应使用材料直径来表示，例如直径2英
寸的材料，应用2表示，直径5英寸，应用5表示；对于方形材料应使用长边长度（长方形）或边长（正
方形）（mm）来表示，长边长度或边长在15≤L＜25范围内的，表示为20，25≤L＜35范围内的表示为30，
其他尺寸表示形式按照此方法进行。例如25mm×35mm材料，应用30来表示。
4.1.3材料名称
对于每种材料，材料名称表示方法为材料分子式或英文名的简写符号表示，例如：
a）锑化铟表示为InSb；
b）碲镉汞表示为MCT；
c）碲锌镉表示为CZT；
d）锑化镓表示为GaSb；
e）铟镓砷表示为IGA；
f）二类超晶格材料：铟砷/镓锑表示为InAs/GaSb，铟砷/铟砷锑表示为InAs/InAsSb，其他二类超
晶格材料表示形式按照此方法进行；
g）量子阱材料：镓砷/铝镓砷表示为GaAs/AlGaAs，其他量子阱材料表示形式按照此方法进行；
h）其他材料表示形式按照此方法进行。
4.1.4第一特征值
对于每种材料，第一特征值表示方法应按照表1所示。
表1第一特征值表示方法
分类材料中文名称特征值含义表示符号
锑化铟（单晶）
锑化镓
晶体类材料
碲锌镉
采用生长方法的英文缩写表示：例如直拉法表示为CZ，
其他晶体类材料
垂直布里其曼法表示为VB，液封直拉法表示为LEC，分
锑化铟（薄膜）
生长方法子束外延表示为MBE，液相外延表示为LPE，气相外延表
碲镉汞
示为VPE，金属有机化学气相沉积表示为MOCVD，其他生
铟镓砷
薄膜类材料长方法表示形式按照该方法进行。
二类超晶格
量子阱
其他薄膜类材料
4.1.5第二特征值
对于每种材料，第二特征值表示方法应按照表2所示。
表2第二特征值表示方法
材料中文名称特征值含义表示符号
2
锑化铟（单晶）
文档评论（0）