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碳化硅喷涂技术规范

碳化硅涂层因其优异的耐高温、耐磨蚀及抗热震性能，广泛应用于航空航天、能源电力、冶金化工等领域关键部件的表面强化与防护。为规范碳化硅喷涂工艺过程，确保涂层质量稳定可靠，需对材料选择、设备要求、工艺参数、质量控制及安全操作等环节进行系统规定。

一、材料要求

碳化硅喷涂材料主要包括喷涂粉末与基材两类，其性能直接影响涂层结合强度、致密性及服役寿命。

（一）喷涂粉末

碳化硅粉末应选用α型或β型高纯度陶瓷粉末，主成分SiC质量分数不低于98.5%，杂质（如游离硅、碳、金属氧化物）总含量≤1.5%。粉末粒度需根据喷涂工艺类型匹配：等离子喷涂宜选用30-75μm的粉末，超音速火焰喷涂（HVOF）宜选用15-45μm的粉末，以确保粉末在焰流中充分加热且不发生过度分解。

粉末流动性需满足松装密度≥1.8g/cm3，休止角≤35°，避免送粉过程中出现堵塞或流量波动。粉末需采用密封防潮包装，存储环境湿度≤60%，存放时间超过6个月时需重新检测粒度分布与成分，确认合格后方可使用。

（二）基材

基材需具备与碳化硅涂层相匹配的热膨胀系数，金属基材（如不锈钢、镍基合金）的热膨胀系数与SiC（约4.5×10??/℃）的差值应≤3×10??/℃，以降低涂层内应力。基材表面需无氧化皮、油污及机械损伤，预处理前需通过溶剂清洗（如丙酮、无水乙醇）或碱液脱脂去除表面油脂，清洗后需在2小时内完成喷砂处理，防止二次污染。

二、设备与工具

碳化硅喷涂需配备专业喷涂设备及辅助装置，核心设备性能需满足工艺参数控制精度要求。

（一）喷涂主机

等离子喷涂设备需具备稳定的电弧控制系统，功率范围40-100kW，工作气体（氩气、氢气）流量控制精度±0.5L/min，送粉速率调节范围5-50g/min，精度±1g/min。HVOF设备需采用液体燃料（如煤油）或气体燃料（如丙烷），燃烧压力≥1.5MPa，焰流速度≥2000m/s，送粉气（氮气或氩气）流量控制精度±0.2L/min。

（二）辅助设备

送粉器需采用双室振动式或螺旋式结构，确保粉末输送均匀，避免脉动现象。冷却系统需配备循环水冷装置，基材温度控制精度±5℃，防止喷涂过程中基材过热导致变形或涂层开裂。喷枪需定期检查喷嘴磨损情况，等离子喷枪喷嘴内径磨损量超过原尺寸10%时需更换，HVOF喷枪喉管磨损量超过0.5mm时需报废。

三、工艺过程控制

碳化硅喷涂工艺包括基材预处理、喷涂参数设置、喷涂实施及后处理四个阶段，各阶段需严格按操作流程执行。

（一）基材预处理

1.表面粗化：采用白刚玉砂（粒度80-120目）进行喷砂处理，喷砂压力0.4-0.6MPa，喷枪与基材夹角60-80°，喷砂距离100-150mm，确保表面粗糙度Ra达到3.2-6.3μm。喷砂后需用压缩空气（经除油除水过滤）吹净表面浮砂，避免残留颗粒影响涂层结合。

2.预热处理：对尺寸较大或导热性差的基材（如陶瓷基复合材料），需进行预热，预热温度控制在150-250℃，升温速率≤10℃/min，避免热应力集中导致基材开裂。

（二）喷涂参数设置

1.等离子喷涂：主气（氩气）流量40-60L/min，辅气（氢气）流量5-15L/min，电弧电流600-800A，喷涂距离80-120mm，喷枪移动速度300-500mm/s，单层涂层厚度控制在20-50μm，层间冷却时间≥30s，确保基材温度不超过200℃。

2.HVOF喷涂：燃料（煤油）流量0.3-0.5L/min，氧气流量1800-2200L/min，送粉气（氮气）流量20-30L/min，喷涂距离200-300mm，喷枪移动速度400-600mm/s，单层厚度15-40μm，层间基材温度≤150℃。

（三）喷涂实施

喷涂前需空喷3-5枪测试焰流稳定性，确认粉末熔化状态良好（等离子喷涂粉末呈亮白色，HVOF喷涂粉末无明显未熔颗粒）后再正式喷涂。喷涂过程中需实时监控设备参数，每10分钟记录一次电流、电压、气体流量及基材温度，偏差超过±5%时需停机调整。

（四）后处理

1.封孔处理：对孔隙率＞5%的涂层（如高温腐蚀环境用涂层），需采用硅酸盐或树脂基封孔剂进行渗透处理。封孔剂需均匀涂刷2-3遍，每遍间隔30分钟，固化温度80-120℃，时间2-4小时。

2.机加工：涂层厚度超过0.5mm时需进行磨削加工，采用金刚石砂轮（粒度80-120目），磨削速度15-20m/s，进给量0.01-0.03mm/转，避免磨削应力导致涂层剥落。

四、质量控制与检验

（一）过程质量控制

预处理阶段需检测表面粗糙度（采用触针式轮廓仪，每平方米检测5点，取平均值）、清洁度（用白棉布擦拭无可见污渍）；喷涂阶段需