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2025年国家开放大学《物理电子学》期末考试复习试题及答案解析

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一、选择题

1.物理电子学中，半导体材料的导电性主要取决于（）

A.材料的原子序数

B.材料的晶体结构

C.材料中的杂质浓度

D.材料的温度

答案：C

解析：半导体材料的导电性对杂质浓度非常敏感。纯净的半导体导电性很差，但掺入少量杂质后，其导电性会显著增强。这是因为在半导体晶格中掺入杂质原子会引入额外的电子或空穴，从而增加载流子浓度。原子序数和晶体结构主要影响材料的物理性质，温度对导电性的影响是通过改变载流子热运动状态实现的，但杂质浓度是影响导电性的最直接因素。

2.PN结形成后，其耗尽层主要存在于（）

A.P区和N区的内部

B.P区和N区的交界面

C.P区的外部

D.N区的外部

答案：B

解析：PN结是在P型半导体和N型半导体接触时形成的。在接触界面处，由于浓度差导致电子和空穴的扩散，留下固定不变的带电层，称为耗尽层。这个带电层主要集中在P区和N型的交界面附近，因为这里是空间电荷密度最高的区域。随着距离界面越远，空间电荷密度迅速下降，耗尽层效应减弱。

3.二极管正向导通时，其正向压降主要取决于（）

A.二极管的材料

B.流过二极管的电流大小

C.二极管的环境温度

D.二极管的封装方式

答案：A

解析：二极管的正向压降主要取决于其PN结的材料特性和掺杂浓度。不同半导体材料（如硅、锗）的禁带宽度不同，导致其形成的PN结具有不同的正向导通压降。通常硅二极管的正向压降在0.6-0.7V，锗二极管在0.2-0.3V。电流大小、温度和封装方式会影响压降值，但不是决定性因素。

4.晶体管放大电路中，发射结和集电结的工作状态分别是（）

A.均正向偏置

B.均反向偏置

C.发射结正向偏置，集电结反向偏置

D.发射结反向偏置，集电结正向偏置

答案：C

解析：在晶体管放大电路中，为了使晶体管工作在放大区，必须满足发射结正向偏置、集电结反向偏置的条件。对于NPN晶体管，这意味着发射极电压高于基极电压，而集电极电压高于基极电压。这种偏置方式能使发射区多数载流子顺利注入基区并大部分被集电极收集，从而实现电流放大。其他偏置方式要么无法放大，要么使晶体管工作在饱和或截止状态。

5.运算放大器在构成反相比例放大电路时，其输入电阻主要由（）

A.运算放大器的开环增益决定

B.运算放大器的输入失调电压决定

C.外接反馈电阻决定

D.外接输入电阻决定

答案：D

解析：在反相比例放大电路中，运算放大器的输入电阻等于外接的输入电阻。这是因为在反相配置下，输入信号通过输入电阻流入运算放大器的反相输入端，而同相输入端通过一个到地的电阻接地。根据虚短和虚断特性，反相输入端的电位接近地电位，因此输入电流几乎全部流过输入电阻。运算放大器的参数主要影响电路的精度和稳定性，而不是输入电阻值。

6.在数字电路中，TTL电路和CMOS电路的主要区别在于（）

A.工作电压范围

B.输入输出电平标准

C.输入输出电流能力

D.空间电荷存储效应

答案：A

解析：TTL（晶体管-晶体管逻辑）电路和CMOS（互补金属氧化物半导体）电路的主要区别在于工作电压范围。TTL电路通常工作在5V电压系统，其输入高电平要求高于2.4V，输入低电平低于0.8V。而CMOS电路可以在更宽的电压范围内工作，从3V到15V甚至更高，其输入阈值电压通常在电源电压的50%左右。其他选项虽然也存在差异，但不是两者的本质区别：输入输出电平标准不同（CMOS电平范围更宽）、电流能力不同（CMOS输入电流极小）、空间电荷存储效应在两个技术中表现不同，但这些都不是最根本的区别。

7.MOSFET管在截止状态时，其漏源之间呈现（）

A.低阻态

B.高阻态

C.短路状态

D.开路状态

答案：B

解析：在MOSFET管（金属氧化物半导体场效应晶体管）的截止状态，即栅源电压小于阈值电压时，漏源之间几乎没有电流流过。这是因为栅极电场不足以在沟道中形成足够的导电电子或空穴。虽然理论上存在极小的漏电流，但在实际应用中可以认为漏源之间呈现高阻态。这与BJT（双极结型晶体管）的截止状态不同，BJT截止时漏电流可以忽略不计。

8.光电二极管的工作原理是基于（）

A.光电效应

B.霍尔效应

C.塞贝克效应

D.热电效应

答案：A

解析：光电二极管是利用光电效应工作的半导体器件。当光子照射到光电二极管的PN结时，如果光子能量足够大，可以激发半导体晶格产生电子-空穴对。这些载流子在PN结内建电场的作用下分别向N区和P区移动，形成光电流。光照越强，产生的电子-空穴对越多，光电流越大。霍尔效应、塞贝克效应和热电效应分别是