2025年大学《应用物理学》专业题库—— 固体物理学在应用物理学中的应用.docxVIP

2025年大学《应用物理学》专业题库——固体物理学在应用物理学中的应用

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.下列哪种晶体结构具有体心立方结构和面心立方结构的等效性？

A.简单立方

B.密排六方

C.金刚石

D.密排立方

2.根据能带理论，绝缘体和半导体的主要区别在于：

A.导电粒子种类不同

B.能带宽度不同

C.满带和价带之间是否存在禁带

D.晶格结构不同

3.在半导体中，掺入三价元素（如硼）形成的杂质能级位于：

A.导带底

B.满带顶附近

C.禁带中部

D.满带内部

4.金属导体具有镜面反射能力的物理原因是：

A.金属表面光滑

B.金属内有大量自由电子可以吸收并重新辐射入射光

C.金属不透明

D.金属导热性好

5.晶格振动（声子）的主要能量来源是：

A.点缺陷

B.温度

C.电子-声子相互作用

D.外加电场

6.在理想晶体中，位错的存在会：

A.显著降低熔点

B.改变晶体的对称性

C.增加材料的电阻率

D.提高材料的屈服强度

7.霍尔效应的本质是：

A.载流子受磁场作用发生偏转

B.载流子与晶格碰撞

C.能带结构发生改变

D.金属的反射率随波长变化

8.磁性材料中，磁化强度M与磁场H的关系在居里温度以上可近似描述为：

A.M∝H

B.M∝H2

C.M∝1/H

D.M=0

9.LED（发光二极管）发光的物理基础是：

A.声子激发

B.电子从导带跳入满带释放能量

C.电子-空穴对复合释放能量

D.霍尔效应

10.超导现象的主要特征之一是：

A.电阻率随温度升高而增大

B.电阻率在绝对零度附近突然降为零

C.磁化率随温度升高而增大

D.材料密度随温度降低而减小

二、填空题（每空2分，共20分）

1.描述晶体结构的两组对称元素相交于一点，这两组对称元素之间通常互为__________。

2.能带理论中，决定能带结构的关键因素是晶格的__________和势场的__________。

3.n型半导体中，主要的载流子是__________，而多数载流子的浓度主要由__________决定。

4.晶体缺陷中，位错线方向与柏氏矢量__________。

5.根据德拜模型，固体热容随温度变化的关系在高温下遵循__________定律，在低温下遵循__________定律。

6.霍尔系数的定义是__________。

7.具有铁磁性的材料，其磁化强度在撤去外磁场后仍能保持一定值的性质称为__________。

8.光与物质相互作用的一种重要方式是__________，它导致光子被物质吸收。

9.纯净半导体的导电性很弱，主要原因是__________。

10.理想晶体中，点缺陷的浓度通常远小于__________浓度。

三、简答题（每题5分，共20分）

1.简述紧束缚模型的基本思想及其在近似能带结构推导中的作用。

2.解释什么是载流子迁移率，并说明温度、杂质浓度和晶格振动如何影响载流子迁移率。

3.简述交换作用对铁磁体磁矩方向排列的影响。

4.为什么半导体材料通常比金属材料的电阻率随温度升高而增大？

四、计算题（每题10分，共20分）

1.一个简单立方晶格，原子位于格点，原子质量为m，假设声子气体的性质近似满足德拜模型，声子气体的总能量U(T)和比热容c_v(T)表达式（无需积分计算过程）。

2.一个均匀磁场B垂直于一块厚度为d的N型半导体样品，测得霍尔电压为V_H。已知半导体中电子的迁移率为μ_e，电子浓度n_e。请推导出磁场B的表达式。

五、论述题（10分）

结合能带理论和载流子输运知识，阐述掺杂对半导体材料导电性能的影响机制，并说明如何通过掺杂来改变半导体的导电类型。

试卷答案

一、选择题

1.D

2.C

3.C

4.B

5.B

6.D

7.A

8.D

9.C

10.B

二、填空题

1.垂直

2.周期性，势场

3.电子，本征载流子浓度（或能带结构）

4.垂直

5.玻尔兹曼，T3

6.载流子浓度梯度的负值与霍尔电场的比值（或V_H/(IB)）

7