2025年大学《应用物理学》专业题库—— 应用物理学在电子器件中的应用.docxVIP

2025年大学《应用物理学》专业题库——应用物理学在电子器件中的应用

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题

1.在本征半导体中，温度升高时，下列哪个物理量会增大？

A.空穴浓度

B.电子与空穴对的总浓度

C.费米能级

D.导电类型

2.形成PN结的基本原理是：

A.半导体材料的压电效应

B.半导体材料的磁阻效应

C.扩散运动与漂移运动的平衡

D.半导体材料的陈化效应

3.当PN结加正向电压时，下列描述正确的是：

A.内建电场增强，耗尽层变宽

B.内建电场减弱，耗尽层变窄

C.内建电场增强，耗尽层变窄

D.内建电场减弱，耗尽层变宽

4.在理想PN结的I-V特性方程中，反向饱和电流主要是由什么决定的？

A.扩散电流

B.漂移电流

C.欧姆电流

D.位移电流

5.对于BJT（双极结型晶体管），实现放大作用的关键条件是：

A.发射结反偏，集电结反偏

B.发射结正偏，集电结正偏

C.发射结正偏，集电结反偏

D.发射结反偏，集电结正偏

6.MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导电机制主要依赖于：

A.漂移电流

B.扩散电流

C.肖特基效应

D.光电效应

7.LED（发光二极管）发光的物理基础是：

A.半导体的热电效应

B.半导体的压电效应

C.半导体的PN结注入载流子复合发光

D.半导体的外光电效应

8.光电二极管的工作原理主要是基于：

A.半导体的内光电效应（光生伏特效应）

B.半导体的外光电效应（光电发射效应）

C.半导体的光伏效应

D.半导体的热电效应

9.决定半导体材料禁带宽度的主要因素是：

A.晶体的对称性

B.晶格常数

C.组成元素的原子的有效核电荷和价电子数

D.晶体的缺陷

10.提高MOSFET的迁移率可以：

A.增大阈值电压

B.降低开启电压

C.增大沟道电阻

D.减小沟道电阻

二、填空题

1.半导体中，将价带和导带分开的、宽度为禁带宽度（Eg）的能量范围，其主要物理意义是禁止单粒子占据。

2.当PN结耗尽层内存在一个由内建电场引起的、由N区指向P区的电势差，称为内建电压（或接触电势）。

3.在BJT中，发射极的作用是向基区注入多数载流子，基极的作用是控制注入载流子的数量，集电极的作用是收集从发射极注入并渡过基区的载流子。

4.MOSFET的输出特性曲线可以分为三个区：截止区、放大区（或饱和区）和击穿区。

5.半导体光电器件的基本工作原理是基于半导体PN结的光电效应，包括光照产生载流子（内光电效应）和PN结在光照下产生电动势（光生伏特效应）。

三、简答题

1.简述半导体中载流子（电子和空穴）的漂移运动和扩散运动的区别。

2.解释什么是耗尽层，并说明在PN结加反向电压时，耗尽层会发生什么变化。

3.简述BJT实现电流放大的物理过程。

4.解释为什么增加MOSFET的栅极电压（在一定范围内）可以增大其漏源电流。

5.简述LED发光的基本过程，并指出影响其发光效率的主要物理因素。

四、计算题

1.已知某本征硅半导体的禁带宽度Eg=1.12eV，电子的有效质量me*=0.26me（me为电子静止质量），导带底能级Ec-Ev=1.17eV。试计算该半导体在300K时的本征载流子浓度ni。（普朗克常数h=6.626x10^-34J·s，电子电荷e=1.602x10^-19C，玻尔兹曼常数k=1.381x10^-23J/K）

2.一个理想PN结的扩散电流密度Jd和漂移电流密度Jd在平衡时（零偏压）大小相等，方向相反。设平衡时的内建电场为Ei，耗尽层宽度为Wd，电子和空穴的迁移率分别为μn和μp。试推导零偏压时的反向饱和电流密度Js的表达式。

3.一个MOSFET工作在饱和区，其沟道长度L=10μm，宽W=20μm，阈值电压Vth=0.7V，沟道电子迁移率μn=500cm2/V·s，Vgs=3V，Vds=1.5V。试近似计算其漏源电流Id。（假设饱和区条件为VgsVth且Vds≥Vgs-Vth）

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试卷答案

一、选择题

1.B

2.C

3.B

4.B

5.C

6