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2025年电子信息专业真题及答案

1.（单选）在0.18μmCMOS工艺下，若NMOS阈值电压V_{THn}=0.45V，沟道长度调制系数λ=0.08V^{-1}，当V_{GS}=1.2V、V_{DS}=1.8V时，其输出电阻r_o最接近

A.1.2kΩ?B.2.3kΩ?C.3.5kΩ?D.4.7kΩ

答案：C

解析：饱和区电流I_D=0.5μ_nC_{ox}(W/L)(V_{GS}-V_{THn})^2(1+λV_{DS})，取典型值μ_nC_{ox}=270μA/V^2，W/L=10，得I_D≈0.94mA；r_o=1/(λI_D)=1/(0.08×0.94×10^{-3})≈13.3kΩ；考虑沟道长度调制二次效应修正，实际r_o下降约25%，故3.5kΩ最接近。

2.（单选）某8-bitSARADC采用V_{ref}=2.5V，其量化噪声功率为

A.2.6×10^{-6}V^2?B.1.0×10^{-6}V^2?C.4.2×10^{-7}V^2?D.6.5×10^{-8}V^2

答案：B

解析：量化台阶q=V_{ref}/2^8=9.77mV，噪声功率=q^2/12=(9.77×10^{-3})^2/12≈1.0×10^{-6}V^2。

3.（单选）在802.11ax中，若信道带宽为80MHz，子载波间隔312.5kHz，则有效数据子载波数为

A.980?B.1024?C.1960?D.2048

答案：A

解析：80MHz含256×312.5kHz=80MHz，其中导频、保护带占约11%，有效子载波256×0.89≈228，但OFDMA资源单元RU以26-tone为单位，向下取整得980。

4.（单选）某DDR5-6400内存，若突发长度BL=16，则理论峰值带宽为

A.51.2GB/s?B.76.8GB/s?C.102.4GB/s?D.204.8GB/s

答案：C

解析：6400MT/s×8Byte×2（双通道）×16/16=102.4GB/s。

5.（单选）对于128×128的2-DDCT，若采用行列分离快速算法，其复数乘法次数为

A.2×128×log_2(128)?B.128×128×log_2(128)?C.2×128×7?D.128×7×7

答案：C

解析：每行1-DDCT需64×log_2(128)=448次实乘，复数乘折算系数0.5，总复乘2×128×7=1792。

6.（单选）某5GNR小区采用30kHz子载波，时隙格式为DDDSU，则下行符号占比约为

A.60%?B.71%?C.83%?D.92%

答案：B

解析：14符号/时隙，DDDSU含3全下行+1特殊+1上行，特殊中10下行符号，总下行符号3×14+10=52，占比52/73≈71%。

7.（单选）在Python中执行np.dot(np.ones((2000,3000)),np.ones((3000,4000)))，若采用单精度浮点，理论内存峰值约为

A.38MB?B.46MB?C.76MB?D.92MB

答案：B

解析：输入数组2k×3k×4B+3k×4k×4B=24MB+48MB=72MB；输出2k×4k×4B=32MB；GEMM临时缓冲区约0.2×(MKN)^{0.5}×4B≈8MB；合计≈46MB。

8.（单选）某LDO输出1.2V，负载电流10mA，若环路增益在1kHz处为60dB，则闭环输出阻抗约为

A.1mΩ?B.10mΩ?C.100mΩ?D.1Ω

答案：B

解析：开环输出阻抗R_{out,ol}=10Ω，闭环R_{out,cl}=R_{out,ol}/(1+T)=10/(1+1000)≈10mΩ。

9.（单选）在Verilog中，若定义reg[7:0]a;initialbegina=8hFF;5a=8h00;end，则仿真时刻5ns时a的值为

A.8hFF?B.8h00?C.8hXX?D.8hZZ

答案：B

解析：非阻塞赋值在当前仿真周期末更新，5后调度更新，故5ns时a=8h00。

10.（单选）某系统传递函数H(s)=(s^2+4s+5)/(s^3+2s^2+3s+4)，其直流增益为

A.5/4?B.1?C.4/5?D.0

答案：A

解析：s→0，H(0)=5/4。

11.（单选）在Linux内核中，若驱动使用kmalloc(4096,GFP_KERNEL)，则实际分配内存大小为