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2025年模拟电路考试试题及答案(长沙理工大学)

1.（单选）在0.18μmCMOS工艺中，若μnCox=280μA/V2，阈值电压VTH=0.45V，宽长比W/L=10μm/0.2μm，栅极过驱动电压Vov=0.2V，则该NMOS管的小信号跨导gm约为

A.2.8mS?B.4.2mS?C.5.6mS?D.7.0mS

答案：C

2.（单选）某两级运放第一级增益Av1=40dB，第二级增益Av2=30dB，若采用密勒补偿电容Cc=30pF，测得单位增益带宽GBW=15MHz，则补偿前主极点fp0约为

A.150Hz?B.1.5kHz?C.15kHz?D.150kHz

答案：B

3.（单选）图1为共源放大器，负载为理想电流源。若沟道长度调制系数λ=0.05V?1，漏极电流ID=0.5mA，要求小信号输出电阻ro≥50kΩ，则MOS管沟道长度L至少为

A.0.5μm?B.1.0μm?C.1.5μm?D.2.0μm

答案：B

4.（单选）在图2所示的折叠共源共栅运放中，若所有晶体管均工作在饱和区，且忽略体效应，则其共模输入范围上限由下列哪一节点电压决定

A.输入对管漏极?B.折叠节点?C.共源共栅管源极?D.输出节点

答案：B

5.（单选）某带隙基准源输出电压VBG=1.2V，温度系数TC=5ppm/°C。若运放失调电压Vos=1mV，则由此引入的输出电压温漂约为

A.1ppm/°C?B.5ppm/°C?C.10ppm/°C?D.20ppm/°C

答案：C

6.（单选）图3为电流镜结构，若IREF=50μA，M1与M2宽长比为1∶4，忽略沟道长度调制，则M2漏极电流为

A.12.5μA?B.50μA?C.100μA?D.200μA

答案：D

7.（单选）在开关电容电路中，若采样电容CS=2pF，时钟频率fclk=100MHz，等效负载RL=10kΩ，则电荷转移效率η最接近

A.99.0%?B.99.5%?C.99.9%?D.99.95%

答案：D

8.（单选）某差分对尾电流ISS=400μA，负载电阻RD=5kΩ，若输入差模电压Vid=5mV，则差模输出电压Vod为

A.10mV?B.20mV?C.40mV?D.80mV

答案：C

9.（单选）图4为源极跟随器，若gm=5mS，ro=20kΩ，体效应跨导gmb=1mS，则其小信号电压增益约为

A.0.80?B.0.83?C.0.86?D.0.89

答案：B

10.（单选）在Class-AB输出级中，采用交叉耦合结构的主要目的是

A.提高增益?B.降低失真?C.减小静态电流?D.扩展带宽

答案：B

11.（多选）下列措施可有效提高共源共栅电流镜输出电阻的是

A.增大共源共栅管沟道长度?B.提高共源共栅管过驱动电压?C.采用负反馈辅助环?D.降低电源电压

答案：A、C

12.（多选）关于图5所示的Telescopic运放，下列说法正确的是

A.输入共模范围低于折叠式?B.噪声性能优于折叠式?C.输出摆幅低于折叠式?D.功耗低于折叠式

答案：A、C、D

13.（多选）在模拟电路中，1/f噪声可通过下列方式抑制

A.增大器件面积?B.采用PMOS输入对?C.斩波稳零技术?D.提高温度

答案：A、B、C

14.（多选）下列因素会导致带隙基准源输出电压随电源电压变化

A.运放电源抑制比有限?B.电流镜沟道长度调制?C.电阻温度系数失配?D.双极晶体管Early电压

答案：A、B、D

15.（多选）在采样保持电路中，影响采集时间的主要因素包括

A.开关导通电阻?B.采样电容容值?C.输入信号斜率?D.运放摆率

答案：A、B、D

16.（判断）在亚阈值区，MOS管的跨导与漏极电流成正比。

答案：错误

17.（判断）对于同一工艺，PMOS的1/f噪声系数通常大于NMOS。

答案：正确

18.（判断）在开关电容积分器中，寄生电容对传递函数无影响。

答案：错误

19.（判断）提高运放相位裕度必然导致单位增益带宽下降。

答案：错误

20.（判断）Class-C放大器适用于模拟电路中的高精度线性放大。

答案：错误

21.（填空）图6为共源放大器，负载为二极管连接PMOS，若NMOS跨导gm1=4mS，PMOS跨导gm2=2mS，忽略沟道长度调制，则小信号电压增益Av