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超导量子芯片中量子比特的退相干时间延长材料改进1

超导量子芯片中量子比特的退相干时间延长材料改进

摘要

本报告系统研究了超导量子芯片中量子比特退相干时间延长的材料改进方案。超

导量子计算作为最具前景的量子计算实现路径之一，其核心挑战在于量子比特的退相

干问题。退相干时间直接决定了量子计算机的性能和实用性，而材料缺陷是导致退相干

的主要因素之一。报告从超导量子芯片的材料体系出发，深入分析了导致量子比特退相

干的物理机制，系统梳理了当前材料改进的研究现状和技术瓶颈，提出了基于材料工程

的综合解决方案。研究方案包括超导材料纯度提升、介电材料损耗降低、界面态密度控

制以及新型低损耗材料体系开发等多个技术方向。通过理论分析、材料制备、表征测试

和芯片验证的全链条研究，旨在将量子比特的T1时间从目前的50100s提升至500s

以上，为构建实用化量子计算机奠定材料基础。报告还详细阐述了研究的技术路线、实

施方案、预期成果以及风险控制措施，为超导量子计算材料研发提供了系统化的解决方

案。

引言与背景

1.1量子计算发展现状

量子计算作为颠覆传统计算范式的革命性技术，近年来在全球范围内呈现出加速

发展的态势。根据国际量子计算产业报告显示，2023年全球量子计算市场规模已达到

150亿美元，预计到2030年将突破1000亿美元，年复合增长率超过30%。在众多量子

计算实现路径中，超导量子计算因其良好的可扩展性和相对成熟的微纳加工工艺，已成

为国际科技巨头和初创公司竞相投入的重点领域。IBM、Google、Intel等公司已相继推

出50100量子比特规模的超导量子芯片原型，并实现了量子优越性实验演示。

我国高度重视量子计算技术研发，将量子信息科学列为国家战略前沿领域。在”十

四五”规划中，明确将量子计算作为重点发展方向，投入专项资金支持相关研究。中国科

学技术大学、清华大学、浙江大学等高校在超导量子计算领域取得了一系列重要突破，

实现了62比特超导量子处理器”祖冲之号”的研制，并在量子随机线路取样等任务上展

示了量子计算优势。然而，与国际领先水平相比，我国在超导量子芯片的长期稳定性和

可靠性方面仍存在一定差距，特别是量子比特的退相干时间这一关键指标有待提升。

1.2超导量子芯片技术挑战

超导量子芯片的核心是由约瑟夫森结构成的量子比特，这些量子比特对环境极其

敏感，容易受到各种噪声源的干扰而发生退相干。退相干过程导致量子态信息丢失，限

制了量子计算的深度和可靠性。当前超导量子比特的退相干时间(T1)通常在50100s

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范围内，而要实现容错量子计算，需要T1时间达到毫秒量级。这一差距凸显了材料改

进在提升量子比特性能方面的关键作用。

材料相关的退相干机制主要包括：超导材料中的杂质和缺陷导致的准粒子产生；介

电材料的双能级系统(TLS)损耗；界面态和表面氧化层引起的能量耗散；以及衬底材

料的微波损耗等。这些材料缺陷产生的噪声谱覆盖了从直流到GHz的宽频范围，与量

子比特的跃迁频率重叠，导致严重的退相干效应。解决这些材料问题需要从原子级材料

设计、精密制备工艺和先进表征技术等多个层面进行系统创新。

1.3研究意义与必要性

延长量子比特退相干时间对推动超导量子计算实用化具有战略意义。首先，更长的

T1时间意味着可以执行更复杂的量子算法，提高量子计算的任务处理能力。其次，减

少量子纠错开销，降低实现容错量子计算的硬件要求。最后，提升量子芯片的稳定性和

一致性，为规模化量子计算系统奠定基础。

从材料科学角度看，量子比特退相干问题的研究将推动低损耗材料、超导材料和界

面科学的深入发展，相关技术可应用于精密测量、量子传感和量子通信等领域。因此，

开展超导量子芯片材料改进研究不仅具有重大的科学价值，还能带动相关产业链发展，

增强我国在量子科技领域的核心竞争力。

研究概述

2.1研究目标

本研究旨在通过系统化的材料改进方案，显著提升超导量子芯片中量子比特的退

相干时间。具体目标包括：将Transmon型量子比特的T1时间从目前的50100s提升

至500s以上；将量子门保真度从99.5%提高至99.9%；实现量子比特参数一致性的显

著改善，标准偏差降低50%