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在2025年Q3启动的星光芯片项目中，我作为项目经理负责整个研发流程的统筹工作。该项目主要面向5G通信基站的高频功率放大器芯片研发，预算投入2800万元，团队规模35人，包含IC设计、工艺制程、封装测试三个核心小组。目前我们已完成前期的市场调研和技术可行性分析，确定采用7nm工艺制程，目标频率范围覆盖3.54.9GHz，预期输出功率达到45W。根据与中芯国际的合作协议，首批流片计划安排在2025年12月，整个项目周期预计18个月完成。
在实际操作中，我们发现7nm工艺制程下高频功率放大器的热管理成为关键挑战。通过采用氮化镓(GaN)材料替代传统的硅基材料，配合微流道散热技术，我们成功将芯片工作温度从85℃降低到65℃，同时功率密度提升了35%。具体实施过程中，我们与中科院微电子所合作开发了新型封装结构，采用铜柱凸点连接技术，将寄生电感控制在0.2nH以内，显著改善了高频特性。
在测试验证阶段，我们建立了完整的ATE测试平台，配备KeysightPNAX网络分析仪和Cascade探针台。通过S参数测试，在4.2GHz频点下实现增益18.5dB，输出功率1dB压缩点达到42dBm，效率达到68%。针对5G基站的实际应用场景，我们还进行了可靠性测试，包括高温工作寿命(HTOL)1000小时、温度循环(55℃至125℃)1000次、以及高加速应力测试(HAST)96小时，所有测试项目均通过了AECQ100标准要求。
项目进度管理方面，我们采用敏捷开发模式，将整个研发周期划分为6个sprint，每个sprint为期8周。目前已完成前3个sprint，包括电路设计、版图绘制和DRC/LVS验证。第4个sprint正在进行tapeout准备，预计11月中旬完成GDSII文件提交。考虑到流片周期约8周，首批芯片将在2026年1月中旬回片，随即进入功能测试和特性分析阶段。
总的来看，下一阶段的重点是完成第4个sprint的tapeout准备工作，确保GDSII文件在11月15日前提交给中芯国际。同时，我们需要在11月30日前完成测试板的设计和制作，为芯片回片后的快速验证做好准备。项目组将在每周一上午9点召开进度协调会，各小组负责人需提交周报，重点汇报风险点和资源需求。
项目验收标准明确如下：芯片回片后2周内完成基本功能测试，4周内完成全特性测试，6周内通过可靠性验证。最终交付物包括完整的测试报告、设计文档和量产工艺文件。如出现重大技术问题，项目组有48小时的应急响应时间，必要时可启动备用方案，即采用12nm工艺进行二次流片。
本方案经技术委员会审核通过，如有调整需重新提交审批。
项目经理：张明
2025年10月28日
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