探索非极性与半极性GaN基氮化物外延生长及表征：技术、特性与展望.docx

探索非极性与半极性GaN基氮化物外延生长及表征：技术、特性与展望

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今半导体技术飞速发展的时代，GaN基氮化物凭借其独特的物理和化学性质，在光电子和电子器件领域占据了举足轻重的地位，成为了研究的焦点和热点。其具有宽带隙（约3.4eV）、高击穿电场（~3.0MV/cm）、高电子迁移率（1000cm2/V?s）以及低导通电阻等一系列优异特性，这些特性使得GaN基氮化物在高频、大功率、高温以及光电器件等方面展现出巨大的应用潜力。

在光电子器件领域，基于GaN基氮化物制作的发光二极管（LED）已经广泛应用于照明、显示等多个方面。与传统的照明光源相比，G