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半导体行业

热点洞察分析

2025年11月17日-11月23日

主编：雷静兰编辑：樊思伟

商业合作：collaboration@

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半导体行业本周总结

11月17日-11月23日，半导体行业呈现“存储‘超级周期’启动带动全链涨

价、国产技术突破多点落地、全球产能布局聚焦高端”的爆发式发展态势。AI

驱动下存储需求指数级增长，价格暴涨蔓延至上下游；国产在掩膜版、存储芯

片、激光雷达芯片等领域密集突破；国际巨头加码8英寸SiC与先进存储产

能，行业进入供需重构与技术迭代的双重变革期。

首先，存储“超级周期”正式启动，全产业链涨价潮蔓延。AI服务器成为核心

驱动力，单台AI服务器DRAM用量达传统服务器8倍，NANDFlash用量

达3倍，HBM等高端存储成刚需并持续挤占传统产能。价格涨幅创历史纪录，

DDR5芯片单周暴涨30%，罕见出现DDR4涨幅超DDR5的价格倒挂现象；

HBM单价涨幅超50%，闪迪NANDFlash合约价此前已暴涨50%。涨价潮

沿产业链传导，英伟达、AMD高端显卡因GDDR6X/GDDR7供应紧张，近三

个月价格上涨20%-30%；AI服务器带动MLCC等被动元件需求激增，用量

达传统服务器8倍，进一步推升成本压力。市场景气度反映在出口数据中，韩

国11月半导体出口同比增38.6%达172.6亿美元，1-11月累计超去年全

年，高附加值存储器成核心拉动。行业普遍预判，此次“超级周期”将持续数

年，多家企业加速募资扩产抢占机遇。

其次，国产技术突破多点开花，关键领域打破垄断。存储芯片国产化提速，兆

易创新DDR48Gb产品三季度销量追平4Gb，计划2026年量产自研LPDD

R4并启动LPDDR5研发；德明利募资32亿元扩产SSD与DRAM，凭借主

控自研能力服务头部客户。掩膜版实现高端突破，路维光电40nm掩膜版启

动试产，完成28nm工艺积累，接待20余家机构调研，有望打破日本企业

垄断，保障产业链安全。专用芯片创新领跑，禾赛科技发布全球首款RISC-V

架构激光雷达主控芯片费米C500，搭载至256线激光雷达，在手订单超40

0万台；其16款自研芯片获车规认证，累计交付1.85亿颗，实现七大关键

部件全栈自研。标准制定掌握主动，中科曙光牵头成立工作组编写AI存储标

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准，攻坚推理存储加速技术，构建自主技术框架。

最后，全球产能布局聚焦高端，SiC与先进存储成核心赛道。国际巨头密集加

码8英寸SiC产能，安森美获欧盟36亿元补贴在捷克建全链条工厂，2027

年投产；安意法半导体8英寸SiC项目一期通过验收并投产，适配新能源汽

车场景；三菱电机日本工厂启动试产，与美国企业合作锁定低成本衬底，聚焦

铁路电力领域。存储产能向高利润倾斜，三星、SK海力士削减25%传统存储

产能，转向HBM等高端产品；德明利等国内企业同步扩产，呼应“超级周期”

需求。细分领域协同发力，韩国CoAsiaSemi获车载照明芯片许可，垂直整

合服务本土车企；禾赛发布256线激光雷达ATX焕新版，测距达230米，

2026年4月量产，凸显“芯片+终端”协同优势。全球产业链呈现“高端产

能集中化、区域需求适配化”特征，欧盟、日韩、中国分别聚焦本土优势领域，

推动行业高质量发展。

本周发展充分印证，半导体行业已进入“AI驱动需求、创新打破垄断、产能精

准适配”的黄金发展期。存储“超级周期”为行业增长注入强劲动力，国产技

术突破加速替代进程，全球高端产能布局奠定长期竞争基础。未来，随着国产

扩产落地、AI存储标准完善，国产半导体企业有望在全球产业链中实现从“跟

跑”到“领跑”的跨越，行业整体将保持高景气度。

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行业本周重要新闻舆情汇总

1.路维光电40nm掩膜版试产超预期28nm技术获突破：11月17日，新京报

消息，路维光电40nm系列掩膜版实物亮相并启动试产，研发进度超预期。公

司已完