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HotWorkingTechnology2020,Vol.49,No.24
屏蔽板位置对多弧离子镀TiN薄膜
表面性能的影响研究
周琼，张思渝，张而耕，黄彪
(上海应用技术大学上海物理气相沉积（PVD)超硬涂层及装备工程技术研究中心，上海201418)
摘要：研究了有无屏蔽板以及屏蔽板位置对TiN薄膜表面形貌、组织结构的影响。在多弧离子镀电弧耙前安装屏
蔽板，用镜面抛光的高速钢片作基片。采用三维形貌轮廓仪、SEMJXRD表征了TiN薄膜的表面粗糙度、表面微观形貌
以及内部组织结构等。结果表明，改变屏蔽板的放置位置，对基片的表面粗糙度，沉积的“大颗粒”尺寸变化以及物相组
成具有显著影响：移动屏蔽板位置从距离基片为10〜40mm的过程中，基片表面粗糙度呈先变小后增大的趋势。同时，
TiN晶粒择优取向由无晶形态逐渐变为显著的TiN(l11)型多晶态，结晶程度逐渐增强；在有屏蔽板条件下，沉积到表
面的“大颗粒”最大直径在3pm以内，而无屏蔽板条件下，约为5pm;当屏蔽板距离基片为25mm时，所得TiN薄膜的
表面粗糙度为最低，为0.0179pm,“大颗粒”最大直径在1pm以内。屏蔽板位置对多弧离子镀涂层的表面形貌以及内
部结构有较大影响，通过位置优选制备的TiN薄膜具有较优的综合性能。
关键词：多弧离子镀；屏蔽板;TiN薄膜;大颗粒；薄膜结构性能
DOI:10.14158/j.cnki.1001-3814.
中图分类号：TG335.86文献标识码：A文章编号：1001-3814(2020)24-0088-04
ResearchonInfluenceofShieldPlatePositiononSurfacePropertiesofTiNFilm
byMultiArcIonPlating
ZHOUQiong,ZHANGSiyu,ZHANGErgeng,HUANGBiao
(ShanghaiEngineeringResearchCenterofPhysicalVaporDeposition(PVD)SuperhardCoatingandEquipment,Shanghai
InstituteofTechnology,Shanghai201418,China)
AbstractThe：influenceofthepresenceorabsenceoftheshieldplateandthepositionoftheshieldplateonthesurface
moq^hologyandstructureoftinfilmwerestudid.Theshieldplatewasinstalledinfrontofthearctargetofmultiarcion
plating,andthemirrorpolishedhigh-speedsteelplatewasusedasthesubstrate.Thesurfaceroughness,micromorphologyand
internalstructureofTiNfilmswere
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