基于二维SnO半导体铁电隧道结输运特性的第一性原理研究.pdfVIP

摘要

铁电材料是一种能够产生自发电极化并且其极化方向可以受到外电场调节的物质，这

使得它在信息存储、场效应及传感等多个领域展现出巨大的应用潜力。然而，当传统的三

维钙钛矿铁电材料通过表面外延生长技术转化为铁电薄膜时，其铁电性会在达到一定厚

度阈值时因退极化场的作用而减小甚至消失。相比之下，二维范德华铁电材料由于其相对

于较弱的层间相互作用，使得其铁电性不会受退极化场影响而减小，近年来备受关注。而

随着数据量的爆炸式增长与实时处理需求的激增，存储系统面临海量数据存取效率、实时

响应能力及安全性等多维挑战，推动以二维铁电隧道结（FTJs）为代表的高密度、低功耗

非易失性存储器件加速突破。铁电隧道结分别呈现出高阻态和低阻态，这种现象被称为隧

穿电致电阻（TunnelElectroresistance,TER）效应。正是基于TER效应，铁电隧道结作

为非易失性存储器件的潜力吸引了大量研究关注。为了更好地贴合目前半导体技术的要

求，本文基于二维半导体材料SnO提出构建具有“p型半导体材料-二维铁电材料-n型半导

体材料”结构的铁电隧道结。这种结构可以有效解决三维铁电隧道结的临界厚度问题，但

仍有若干问题需要解决，例如，二维SnO的自发极化强度是否够大，能否在一定温度下

保持铁电稳定性？是否能对应变和电场产生响应？基于这种材料的铁电隧道结是否能拥

有良好的TER效应？为解答以上问题，本文主要研究工作如下：

（1）二维铁电材料SnO的基本性质研究以及铁电性和对外部响应的研究

基于第一性原理的计算Berry相位方法，成功预测并且证明研究了一种新型的二维铁

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电材料SnO，这种结构是一种稳定的类磷烯结构，SnO拥有高达5.24×10C/m的较大的

自发极化强度，拥有较高的居里温度（2600K）可以保持较好的铁电性。自发极化和开关

势垒可以通过应变来调节，并且其面内极化的方向可以受到外部电场的调控。这些发现为

理解二维极限下材料中电子的量子行为提供了重要的启示，并且在非应变状态下拥有

2.71eV的宽禁带铁电半导体材料SnO为基于柔性二维横向铁电隧道结的下一代非易失性

存储器件以及光电存储器件提供了新的可能性。

（2）基于In：SnO/SnO/Sb：SnO同质结的铁电隧道结

将In原子和Sb原子掺杂进了3×1的二维SnO超胞作为铁电隧道结的两个电极，中

间沟道区域为30×1的由纯二维SnO构成的铁电隧穿区域，基于第一性原理结合非平衡

格林函数的方法，分别计算左右两个极化方向铁电隧道结的IV特性曲线，最终在未加任

何应变的情况下，得到了2400%的TER比率。在此基础之上利用二维SnO铁电性机械应

变的物理特性，发现在3%的压缩应变状态下TER比率可以达到68000%，这一结果充分

说明了基于In：SnO/SnO/Sb：SnO同质结的铁电隧道结在铁电隧道结非易失性存储器方

面的巨大潜力。

关键词：二维铁电材料；SnO；第一性原理；铁电隧道结；TER效应

Abstract

Ferroelectricmaterialsaresubstancesthatcangeneratespontaneouspolarizationandwhose

polarizationdirectioncanberegulatedbyanexternalelectricfield,whichmakesthemshowgreat

applicationpotentialinmultiplefieldssuchasinformationstorage,fieldeffect,andsensing.

However,whentraditionalperovskiteferroelectricmaterialsaretransformedintoferroelectric

thinfilmsthroughsurfaceepitaxialgrowthtechnology,