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碳化硅行业报告

碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体的核心材料，凭借禁带宽度大、热导率高、击穿场强高、电子饱和漂移速度快等优异性能，在高温、高频、高功率及抗辐射场景中展现出不可替代的优势，成为支撑新能源汽车、光伏储能、轨道交通、5G通信等战略性新兴产业发展的关键基础材料。在中国“双碳”目标引领、半导体自主可控战略推动及下游应用需求爆发的多重驱动下，碳化硅行业已从技术研发向规模化量产转型，进入“材料突破、器件升级、生态构建”的高速发展阶段。本报告将系统解析中国碳化硅行业的发展现状、核心驱动因素、竞争格局、现存挑战及未来趋势，为行业从业者、投资者及政策制定者提供全面参考。

一、行业发展现状：规模快速扩张，产业链逐步完善

（一）市场规模高速增长，应用需求持续放量

近年来，中国碳化硅行业呈现爆发式增长态势，市场规模从2018年的12亿元快速攀升至2023年的115亿元，年复合增长率超55%，成为半导体材料领域增速最快的细分赛道。从产品结构来看，碳化硅衬底与器件构成市场核心，2023年衬底市场规模达42亿元，占比36.5%，6英寸衬底因性价比优势成为主流，市场占比超60%；器件市场规模达73亿元，占比63.5%，其中功率器件（二极管、MOSFET）占比超90%，广泛应用于新能源汽车电控、光伏逆变器等领域。

从需求端来看，新能源汽车是核心驱动力，2023年新能源汽车领域碳化硅需求占比达58%，搭载碳化硅器件的新能源汽车续航里程可提升10%-15%，充电效率提升30%以上，比亚迪、蔚来等车企已实现碳化硅电控系统规模化应用；光伏储能领域需求占比达22%，碳化硅逆变器可使发电效率提升0.5-1个百分点，在大型地面电站中的渗透率快速提升；工业控制、轨道交通领域需求占比分别达10%、6%，高频感应加热、高铁牵引变流器等场景的应用逐步落地；5G通信、航空航天领域需求占比虽不足4%，但增长潜力显著。区域分布上，长三角、珠三角及成渝地区贡献80%以上的市场需求，聚集了主要的碳化硅企业与下游应用厂商。

（二）产业链层级清晰，国产化进程加速

碳化硅产业链分为上游（原料与设备）、中游（衬底与外延）、下游（器件制造与应用）三个核心环节，目前中国已形成较为完整的产业链体系，各环节国产化率逐步提升。上游原料端，高纯砂与石墨是核心原料，中国高纯砂自给率已达70%，但高纯度石墨仍依赖进口，日本东洋炭素、德国西格里等企业占据主导；设备端，长晶炉、切片机等关键设备国产化取得突破，天岳先进、京运通等企业的长晶炉已实现自用，中电科48所的切片机市场占有率超30%，但高端检测设备仍依赖美国KLA、日本Hitachi等企业。

中游制造端是产业链核心，衬底环节国产化进展显著，天岳先进、山东天岳、三安光电等企业已实现6英寸衬底规模化量产，良率提升至85%以上，部分企业完成8英寸衬底技术突破并进入中试阶段；外延环节，瀚天天成、天岳先进的6英寸外延片已批量供应，外延层均匀性与缺陷密度达到国际先进水平。下游器件端，比亚迪半导体、斯达半导、士兰微等企业已实现碳化硅二极管、MOSFET的量产，比亚迪半导体的碳化硅电控模块在自有车型中装机量超100万台，斯达半导的碳化硅模块在光伏逆变器领域获得阳光电源、华为等企业订单。

（三）技术水平稳步提升，核心指标持续优化

中国碳化硅行业技术研发聚焦衬底制备、外延生长及器件设计三大核心领域，关键技术指标持续突破。衬底制备方面，长晶技术从物理气相传输法（PVT）向更高效的籽晶辅助法升级，6英寸衬底的微管密度（MD）降至0.5个/cm2以下，位错密度降至103-10?cm?2量级，接近国际一流水平；8英寸衬底已实现实验室突破，部分企业的样品微管密度控制在1个/cm2以内，为后续规模化应用奠定基础。外延生长方面，化学气相沉积法（CVD）工艺优化，外延层厚度均匀性误差控制在±5%以内，掺杂浓度均匀性提升至±10%，满足高性能器件需求。

器件设计与制造方面，沟槽型MOSFET、超结器件等先进结构研发取得进展，比亚迪半导体的沟槽型SiCMOSFET导通电阻降至5mΩ·cm2以下，开关损耗较传统硅基器件降低60%以上；封装技术从传统引线键合向倒装焊、三维封装升级，散热性能提升40%，可靠性显著增强，满足新能源汽车等高温高功率场景需求。

二、行业核心驱动因素：政策、需求与技术三重赋能

（一）政策强力支持，构筑发展保障体系

国家层面将碳化硅纳入战略性新兴产业重点发展领域，出台多项政策推动行业发展。《“十四五”原材料工业发展规划》明确提出“突破碳化硅等第三代半导体材料关键技术，实现规模化应用”；《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》将碳化硅衬底、器件纳入税收优惠与研发补贴范围，符合条件的企业可享受“两免三减半”税收优惠；《关于加快建设全国一体化大数据中心