2025年(微电子科学与技术)半导体器件物理试题及答案.docVIP

2025年（微电子科学与技术）半导体器件物理试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：每题只有一个正确答案，请将正确答案的序号填在括号内。

一、（总共10题，每题2分）

1.半导体中参与导电的载流子是（）

A.电子B.空穴C.电子和空穴D.离子

答案：C

2.本征半导体中自由电子浓度（）空穴浓度。

A.大于B.小于C.等于D.不确定

答案：C

3.P型半导体中多数载流子是（）

A.电子B.空穴C.离子D.中子

答案：B

4.杂质半导体中，杂质原子的作用是（）

A.产生载流子B.散射载流子C.增加电阻D.降低温度

答案：A

5.当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。

A.大于B.小于C.等于D.不确定

答案：A

6.二极管的正向导通电压一般为（）

A.0.1V-0.3VB.0.5V-0.7VC.1V-3VD.5V-7V

答案：B

7.三极管处于放大状态时，其发射结（），集电结（）。

A.正偏，正偏B.正偏，反偏C.反偏，正偏D.反偏，反偏

答案：B

8.场效应管是利用（）来控制漏极电流的。

A.栅源电压B.漏源电压C.栅极电流D.漏极电流

答案：A

9.半导体中载流子的迁移率与（）有关。

A.温度B.杂质浓度C.电场强度D.以上都是

答案：D

10.当温度升高时，半导体的导电能力（）

A.增强B.减弱C.不变D.不确定

答案：A

二、（总共10题，每题2分）

1.以下哪种半导体材料属于化合物半导体（）

A.硅B.锗C.砷化镓D.碳

答案：C

2.半导体的导电性能随温度变化而显著变化，这是因为（）

A.载流子浓度变化B.迁移率变化C.杂质浓度变化D.原子排列变化

答案：A

3.在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（）

A.温度B.杂质浓度C.光照D.外加电压

答案：A

4.PN结具有（）特性。

A.单向导电性B.双向导电性C.绝缘性D.超导性

答案：A

5.二极管的反向饱和电流随温度升高而（）

A.增大B.减小C.不变D.不确定

答案：A

6.三极管的电流放大倍数β与（）有关。

A.基极电流B.集电极电流C.发射极电流D.以上都不是

答案：A

7.场效应管可分为（）

A.结型和绝缘栅型B.N沟道和P沟道C.增强型和耗尽型D.以上都是

答案：D

8.半导体中电子的有效质量（）自由电子质量。

A.大于B.小于C.等于D.不确定

答案：B

9.当PN结外加反向电压足够大时，会发生（）

A.击穿现象B.放大现象C.饱和现象D.截止现象

答案：A

10.半导体器件的性能主要取决于（）

A.材料特性B.工艺水平C.结构设计D.以上都是

答案：D

三、（总共4题，每题5分）

1.简述PN结的形成过程。

答案：在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质，分别形成N型半导体和P型半导体。在它们的交界面处，N区的电子向P区扩散，P区的空穴向N区扩散，形成空间电荷区，即PN结。空间电荷区存在内电场，阻止多数载流子的继续扩散，达到动态平衡。

2.说明二极管正向导通和反向截止的工作原理。

答案：正向导通：当二极管外加正向电压时，外电场削弱内电场，使空间电荷区变窄，多数载流子的扩散运动增强，形成较大的正向电流，二极管导通。反向截止：当二极管外加反向电压时，外电场增强内电场，使空间电荷区变宽，多数载流子的扩散运动受到抑制，只有少数载流子形成很小的反向电流，二极管截止。

3.分析三极管放大作用的内部条件和外部条件。

答案：内部条件：发射区杂质浓度高，基区杂质浓度低且厚度薄，集电区面积大。外部条件：发射结正偏，集电结反偏。这样发射区向基区注入大量电子，在基区中电子与空穴复合很少，大部分电子扩散到集电区被收集，形成较大的集电极电流，实现电流放大。

4.阐述场效应管与三极管的区别。

答案：场效应管是电压控制型器件，通过栅源电压控制漏极电流；三极管是电流控制型器件，通过基极电流控制集电极电流。场效应管输入电阻高，热稳定性好；三极管输入电阻低。场效应管只有多子参与导电，三极管有多子和少子参与导电。场效应管的噪声低，三极管的噪声相