原位自生Mg₂Si_Mg-Zn-Si复合材料的合金化变质机制及耐蚀性研究.docxVIP

原位自生Mg?Si/Mg-Zn-Si复合材料的合金化变质机制及耐蚀性研究

一、引言

镁合金作为轻量化结构材料，在航空航天、汽车工业等领域具有广阔应用前景，但强度低、耐蚀性差等问题限制了其进一步推广。原位自生Mg?Si增强相凭借高硬度、低密度及与镁基体良好的界面结合性，成为提升镁合金性能的理想选择。Mg-Zn-Si体系中，通过原位反应生成的Mg?Si相易呈现粗大的枝晶或块状结构，反而导致材料塑性下降。因此，深入研究合金化变质机制对调控Mg?Si相形态、优化材料综合性能至关重要，同时系统分析复合材料耐蚀性变化规律，可为其工程应用提供理论支撑。

二、原位自生Mg?Si/Mg-Zn-Si复合材料的合金化变质机制

（一）未变质复合材料的组织特征

在未添加变质元素的Mg-Zn-Si复合材料中，Mg?Si相通过液相反应Mg+Si→Mg?Si原位生成。由于Mg?Si晶体具有面心立方结构，生长过程中易沿特定晶向（如100）优先生长，最终形成尺寸可达数十微米的粗大枝晶状Mg?Si相，部分区域甚至出现块状团聚。这种粗大的第二相不仅会割裂镁基体的连续性，还会在相界面处产生应力集中，成为裂纹萌生源，导致材料力学性能劣化。

（二）合金化变质元素的作用机制

1.单一变质元素的调控作用

Sr元素变质：Sr作为典型的镁合金变质剂，可通过两种方式调控Mg?Si相。一方面，Sr原子半径（0.215nm）与Mg原子半径（0.160nm）差异较大，易在Mg?Si相的固液界面处富集，形成吸附层，阻碍Si原子向Mg?Si相表面扩散，从而抑制Mg?Si相的长大速率；另一方面，Sr可与Si形成SrSi?中间相，该相熔点（1062℃）低于Mg?Si的熔点（1085℃），在凝固过程中可作为Mg?Si相的异质形核核心，使形核率显著提高，最终将Mg?Si相由粗大枝晶转变为尺寸小于5μm的细小颗粒状或短棒状。

Ce元素变质：Ce作为稀土元素，具有独特的4f电子层结构，易与Mg、Si形成稳定的金属间化合物（如CeMgSi）。这些化合物在凝固初期率先析出，可作为Mg?Si相的形核基底，降低形核功；同时，Ce原子可固溶于Mg?Si晶格中，导致晶格畸变，破坏其有序生长模式，促使Mg?Si相呈现均匀分布的颗粒状形态，且相界结合更紧密，减少界面缺陷。

2.复合变质元素的协同效应

单一变质元素对Mg?Si相的调控效果存在局限性（如Sr变质易导致材料韧性下降，Ce变质成本较高），而复合变质（如Sr-Ce、Sr-Y）可实现优势互补。以Sr-Ce复合变质为例，Sr主要发挥“抑制长大”作用，Ce则侧重“促进形核”，二者协同作用下：

形核阶段：CeMgSi与SrSi?共同作为异质形核核心，形核率较单一变质提高30%-50%；

长大阶段：Sr在Mg?Si界面的吸附与Ce的晶格畸变双重作用，彻底抑制枝晶生长，使Mg?Si相尺寸细化至2-3μm，且分布均匀性提升显著。

此外，复合变质还可减少单一元素的添加量（如Sr添加量从0.3%降至0.15%），降低合金成本，同时避免单一元素过量导致的有害相析出。

（三）变质对基体显微结构的影响

合金化变质不仅改变Mg?Si相的形态与尺寸，还会优化镁基体的显微结构。变质元素（如Sr、Ce）可细化镁基体晶粒，一方面通过异质形核促进基体晶粒形核，另一方面阻碍基体晶粒长大。未变质时基体晶粒尺寸约为80μm，经Sr-Ce复合变质后，基体晶粒尺寸可降至25μm以下，晶粒细化不仅能提升材料强度（符合霍尔-佩奇关系），还能改善基体与Mg?Si相的界面结合状态，减少界面应力集中。

三、原位自生Mg?Si/Mg-Zn-Si复合材料的耐蚀性研究

（一）腐蚀测试方法与环境

本研究采用动电位极化曲线和电化学阻抗谱（EIS）测试复合材料在3.5wt.%NaCl溶液（模拟海洋或工业腐蚀环境）中的电化学行为，结合浸泡试验（72h）观察腐蚀形貌，并通过失重法计算腐蚀速率。测试前将样品打磨至1000#砂纸，超声清洗后烘干，暴露面积为1cm2，辅助电极为铂片，参比电极为饱和甘汞电极（SCE）。

（二）未变质复合材料的腐蚀行为

未变质复合材料的耐蚀性较差，主要原因包括：

相界面腐蚀：粗大的Mg?Si相与镁基体存在显著的电极电位差异（Mg?Si电极电位约为-0.6V，镁基体约为-1.7V），形成大量微电偶电池，镁基体作为阳极优先溶解，腐蚀电流密度可达1.2×10??A/cm2；

枝晶间隙腐蚀：枝晶状Mg?Si相之间形成狭长间隙，腐蚀介质易在间隙内积